收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管STD4N52K3参数

场效应MOS管STD4N52K3参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:2.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:525VRDS(ON)Ω内阻:2.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

立即咨询


    STD4N52K3是一种N沟道功率MOSFET,其在电力电子领域具有广泛的应用。以下将详细介绍STD4N52K3的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD4N52K3常用于开关电源中,以提高能效和稳定性。它能够在高频率下进行高效开关操作,减少开关损耗,从而提高整体电源转换效率。这对于需要节能的现代电子设备尤为重要。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,STD4N52K3能够作为逆变器或H桥电路中的开关元件。其高耐压和低导通电阻特性使其能够有效控制电机的启停和转速,保证电机运行的可靠性和效率。

    3. 照明控制:STD4N52K3在LED照明控制中有着重要作用。由于其能够承受高电压并且具备快速开关能力,能够有效调节LED灯的亮度,同时保持低功耗和长寿命。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,STD4N52K3用于电池的充放电控制。其高耐压和低损耗特性,能够确保电池在充放电过程中保持高效稳定,有助于延长电池的使用寿命。

    5. 太阳能逆变器:STD4N52K3也被广泛应用于太阳能逆变器中,用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。其高效的开关特性使其在高频逆变过程中减少能量损耗,提高系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on):STD4N52K3的导通电阻非常低,仅为1.2欧姆(最大值),这意味着在导通状态下,它的电能损耗非常小,有助于提高整体系统的能效。

    - 耐压值(VDS):STD4N52K3的漏源极电压(VDS)为520V,表明它能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高耐压能力的应用场景,如开关电源和逆变器。

    - 电流能力(ID):它的最大漏极电流(ID)为4A,能够满足大多数中等功率的应用需求,如电机驱动和照明控制等。

    - 开关速度:STD4N52K3具有快速的开关速度,能够在高频率下高效工作。这一点对于开关电源和逆变器等应用至关重要,因为快速开关能够减少能量损失,提升效率。

    - 热阻:它的热阻(Rthj-c)仅为1.92°C/W,说明它具有良好的散热性能。这在高功率应用中尤为重要,因为良好的散热性能能够防止器件过热,从而延长其使用寿命。

    综上所述,STD4N52K3凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,在开关电源、电机驱动、照明控制、电池管理系统以及太阳能逆变器等多种应用场景中表现出色。其参数特点使其成为功率电子领域中不可或缺的重要器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号