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场效应MOS管STD4N25参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:1.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD4N25是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD4N25常用于电源管理系统中,特别是在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。其高效的开关特性和低导通电阻使其在这些应用中能够有效地减少功耗和提升转换效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车领域,STD4N25用于驱动电机控制系统。它可以有效地处理高电流和高电压环境,提供可靠的电流控制和能量管理,提升车辆的性能和续航能力。

    3. 工业自动化:在工业自动化设备中,STD4N25用于各种控制电路和驱动电路中。例如,在可编程逻辑控制器(PLC)、变频器以及工业机器人中,它可以提供稳定的电源控制和信号转换,确保设备运行的可靠性和精度。

    4. 消费电子:STD4N25在消费电子产品中也有广泛应用,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和电视机等设备中。其小型封装和高效率特性使其非常适合在空间有限且需要高效能的消费电子产品中使用。

    5. 照明设备:在LED照明和其他高效照明系统中,STD4N25用于调节和控制电流,为LED灯提供稳定的电流驱动,延长灯具的寿命并提高能源效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD4N25具有低导通电阻(RDS(on)),这意味着在通电状态下其两端的电压降非常小,从而减少了功率损耗,提高了系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:STD4N25能够处理高达4A的连续漏极电流,使其在高电流应用中表现出色。这使得它特别适合用于需要处理大电流的电源管理和驱动电路中。

    - 耐高压特性:STD4N25的漏源极击穿电压(VDSS)为250V,这使得它能够在高电压环境中可靠运行,适用于各种需要高电压驱动的应用场景。

    - 快速开关速度:STD4N25具有快速的开关速度,这对于开关电源和DC-DC转换器等需要高频率开关操作的应用非常关键。快速的开关速度能够有效减少开关损耗,提高系统的工作效率。

    - 小型封装:STD4N25采用DPAK封装,这种小型封装使其非常适合在空间有限的电路板上使用,同时保持良好的散热性能和机械强度。

    综上所述,STD4N25凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压特性、快速开关速度以及小型封装的优势,在电源管理、电动汽车、工业自动化、消费电子和照明设备等多个领域中得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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