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场效应MOS管STD45N10F7参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:45AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.018ΩVRDS(ON)ld通态电流:22.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD45N10F7是一种常用于各种电子设备中的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。由于其出色的性能和高效能,它在许多不同的应用场景中都得到了广泛的应用。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD45N10F7在开关电源和直流-直流转换器中,被用作开关元件。它能够快速开关,从而提高转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动器:在电机控制和驱动器应用中,STD45N10F7的高电流承载能力和低导通电阻使其成为理想选择。它可以提供稳定的电流输出,确保电机的平稳运行。

    3. 电池管理系统:在锂电池和其他可充电电池的管理系统中,STD45N10F7用于电池保护和充放电控制。它的高可靠性和低导通电阻有助于延长电池寿命。

    4. 消费电子产品:在手机、笔记本电脑、平板电脑等消费电子产品中,STD45N10F7用于电源管理和热管理。它能够高效地处理大电流,减少设备发热量。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STD45N10F7用于逆变器电路,帮助将直流电转换为交流电。它的高效能和耐高压特性使其在这一领域中表现出色。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD45N10F7的RDS(on)值非常低,仅为12毫欧(最大值),这意味着它在导通时的电阻很小,可以减少功率损耗,提高整体效率。

    - 高电流处理能力:它的最大连续漏极电流(ID)为45A,这使其能够处理较大的电流负载,适合高功率应用场景。

    - 耐高压能力:STD45N10F7的最大漏源极电压(VDS)为100V,使其能够在高压环境下稳定工作,不易损坏。

    - 快速开关速度:其典型的开关速度非常快,能够在纳秒级别内完成开关操作,这对于高频应用如开关电源非常重要。

    - 高能效:由于其低的栅极电荷(Qg)和低的导通电阻,STD45N10F7在转换过程中能量损耗小,具有很高的能效。

    通过以上描述可以看出,STD45N10F7凭借其卓越的技术参数和广泛的应用场景,成为众多电子设备中不可或缺的核心元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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