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场效应MOS管STD40NF10参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.028ΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD40NF10是一款常见的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。以下将详细介绍STD40NF10的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD40NF10常用于开关电源中作为高效的开关元件。由于其低导通电阻和快速开关速度,能够有效降低电源的功耗,提高转换效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动控制中,STD40NF10经常被用作功率控制器件。其高电流处理能力和可靠的热性能,保证了电机运行的稳定性和效率。

    3. 电池管理系统:STD40NF10在电池管理系统中可以用于电池保护和充放电控制。其高耐压和低漏电流特点,能够确保系统的安全和高效运行。

    4. 逆变器:在逆变器电路中,STD40NF10可以用作桥臂开关元件。其良好的开关特性和低损耗,使其在能量转换过程中表现出色。

    5. 光伏系统:STD40NF10在光伏系统的直流-直流转换模块中应用广泛,能有效提高光伏系统的整体转换效率。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STD40NF10的典型导通电阻为44mΩ(VGS=10V),这意味着在导通状态下,该器件的电阻较低,从而降低了能量损耗。

    - 最大漏源电压(VDSS):STD40NF10的最大漏源电压为100V,这使其适合于需要较高耐压的应用场景,如电池管理和逆变器电路。

    - 连续漏极电流(ID):在25°C环境温度下,STD40NF10的最大连续漏极电流为40A。这意味着它能够处理较大的电流,非常适合高功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):STD40NF10的总栅极电荷为115nC,这使得该器件能够快速开关,从而提高整个电路的效率。

    - 热阻(RthJC):STD40NF10的结到壳的热阻为1.0°C/W,这意味着该器件在高功率应用中具有良好的热性能,能够有效散热,确保器件稳定运行。

    综上所述,STD40NF10因其优良的电气和热性能,广泛应用于各种需要高效能和可靠性的电子电路中。其在开关电源、电机驱动、电池管理、逆变器和光伏系统中的表现尤为突出,成为工程师们设计高效电路的首选器件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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