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场效应MOS管STD3NM50参数

PD最大耗散功率:46WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:3ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD3NM50是一款广泛应用于各类电子电路中的功率MOSFET,其应用场景主要包括:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源、DC-DC转换器以及不间断电源(UPS)系统中,STD3NM50常被用作高效的开关元件,帮助实现低损耗、高效能的电能转换。

    2. 电机控制:在工业和家用电器的电机控制系统中,STD3NM50可以用作驱动电路的核心元件,提供稳定的电流和电压控制,保证电机的高效运行。

    3. 照明控制:在LED照明系统中,STD3NM50被广泛应用于驱动电路,利用其高效能和低热量生成的特点,实现节能、长寿命的照明解决方案。

    4. 消费电子:在手机、笔记本电脑等便携式电子设备中,STD3NM50因其小型封装和高效能的特点,常用于电池管理和电源开关控制,提升设备的整体性能。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统如电动座椅、车载信息娱乐系统和电动窗等应用中,STD3NM50能提供可靠的开关和保护功能,提升系统的可靠性和安全性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STD3NM50的典型导通电阻为2.5Ω,这意味着在其导通状态下电流通过时会有较小的压降和功耗,有助于提升电路的整体效率。

    - 漏极-源极电压(VDS):STD3NM50能够承受最高500V的漏极-源极电压,使其适用于高压应用场景,保证电路在高压条件下的稳定运行。

    - 漏极电流(ID):STD3NM50的最大连续漏极电流为3A,能够满足大多数功率电子电路的需求,提供足够的电流承载能力。

    - 栅极电荷(Qg):STD3NM50的典型总栅极电荷为30nC,低栅极电荷意味着更快的开关速度,有助于提升开关电源和转换器的效率。

    - 工作温度范围:STD3NM50的工作温度范围为-55°C至+150°C,宽广的温度范围确保其在各种严苛环境下都能稳定工作,适应不同的应用需求。

    通过以上详细的描述,我们可以看出,STD3NM50作为一款高效能、高可靠性的功率MOSFET,具备多种参数优势,广泛应用于各类电子设备和系统中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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