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场效应MOS管STD3NK80Z参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:2.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:4.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD3NK80Z是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的超级结场效应晶体管(Super-Junction MOSFET)。这款产品以其高效的电力转换能力和优越的热性能而闻名,常用于各种电力管理和开关应用中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD3NK80Z因其高效的开关特性和低导通阻抗,广泛应用于电脑、服务器和电信设备中的开关电源。它帮助提高电源的整体效率,减少能耗和发热。

    2. LED照明驱动器:在LED照明解决方案中,STD3NK80Z能够提供稳定的电流控制,保证LED的亮度和效率。它的高耐压和低热损耗特性使其成为理想的选择。

    3. 电动车充电器:随着电动汽车市场的快速增长,STD3NK80Z在车载充电器和充电站的构建中发挥重要作用。它能够处理高电压和高电流,确保充电过程的安全性和效率。

    4. 逆变器:在太阳能逆变器和家用逆变器中,STD3NK80Z通过提供高效的能量转换,优化系统性能。它的低导通损耗和高速开关能力对提高整体系统的可靠性至关重要。

    5. 高频开关应用:STD3NK80Z也适用于高频开关电路,如无线电和其他通信设备中的电源管理。它的快速开关能力和稳定的性能确保了信号的清晰和连续。

    二、参数特点:

    - 导通阻抗:STD3NK80Z提供极低的导通阻抗(Rds(on)),这有助于减少在高电流应用中的能量损失,提升整体效率。

    - 耐压等级:该器件的耐压等级达到800V,适合在高电压环境下工作,提供更大的设计灵活性和安全性。

    - 电流承载能力:STD3NK80Z能够承载高达2.4A的连续漏源电流(Ids),在需要处理大电流的应用中表现优异。

    - 封装类型:采用TO-252封装,不仅有助于减小板上占用空间,也便于散热,提高产品的可靠性和寿命。

    - 热特性:具有出色的热特性,其最大结温可达150℃,使其能够在热环境中保持稳定运作。

    综上所述,STD3NK80Z是一款多功能且高性能的半导体器件,适用于多种高要求的电子设备中。它的优异性能和可靠性使其成为电力管理和电力转换应用中的首选组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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