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场效应MOS管STD3NA50参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:2.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:3ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD3NA50是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于高压开关电源、电机控制、功率管理和其他需要高效率和高速开关的场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD3NA50因其能够处理较高的电压和电流,常被用于开关电源的主开关元件。它可以有效地在电路中切换电流,帮助转换电压级别,满足不同的电力需求。

    2. 电机控制:在电机驱动应用中,STD3NA50可以用来控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性对于需要精确控制电机运行的应用尤为重要,如机器人或自动化设备。

    3. 功率管理系统:在复杂的功率管理系统中,如电动车和可再生能源系统,STD3NA50能有效地控制高电压和大电流,保障系统的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 高电压容忍度:STD3NA50的漏源极击穿电压高达500V,使其能够在高压环境下工作而不损坏。

    - 低栅极电荷:它具有较低的栅极电荷,这有助于实现快速的开关速度,从而提高整个电路的响应速度和效率。

    - 低导通电阻:STD3NA50的导通电阻较低,这意味着在导通状态下,器件的内部电阻小,能够减少能量损失,提高整体效率。

    - 封装:通常采用TO-252封装,这种封装有助于器件的散热,适合在高功率和高温环境下使用。

    综上所述,STD3NA50凭借其优异的电气性能和物理特性,在高压、高功率的电子设备中扮演着至关重要的角色。这种MOSFET的高性能确保了它在电力电子领域的广泛应用,特别是在那些要求高可靠性和长寿命的应用中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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