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场效应MOS管STD3N62K3参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:2.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:620VRDS(ON)Ω内阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD3N62K3是一种常见的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),广泛应用于电子开关和电源管理等领域。这种型号的MOSFET因其独特的性能参数和可靠性,在多种电子设备中都有应用。接下来,我们将详细探讨STD3N62K3的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD3N62K3常用于各种电源转换设备,包括AC/DC转换器、DC/DC转换器等。它的高效开关特性使得电源设备能够以更高的效率运行,减少能量损耗。

    2. 开关电源:在开关电源设计中,STD3N62K3能够承受高电压和电流,使其在转换电压和调节电流时特别有效。这种特性对于需要稳定电源输出的高性能电子产品至关重要。

    3. 电动车和充电站:STD3N62K3也被广泛应用于电动车及其充电站的设计中,用于控制电流和电压,确保充电过程的稳定和安全。

    4. 电子开关:此外,STD3N62K3也适用于各种高频电子开关应用,如逆变器、调光器等,它能够快速切换电流方向,有效控制电力输出。

    二、参数特点:

    - 高压能力:这款MOSFET能够承受高达620V的漏源电压,这意味着它能在高电压环境下安全稳定地工作。

    - 低栅阈值电压:STD3N62K3的栅阈值电压低(大约2.0V至4.0V),这有助于在较低的电压下启动和控制晶体管,提高了设备的灵敏度和响应速度。

    - 高电流容量:它能处理高达3A的连续漏电流,这一特性适用于需要处理大电流的应用。

    - 低导通电阻:STD3N62K3的导通电阻非常低,这有助于减少能量消耗和热量产生,从而提高整体效率和可靠性。

    - 封装与耐用性:该型号采用TO-251封装,具有良好的机械强度和热稳定性,适合于苛刻的物理和温度条件。

    总之,STD3N62K3以其卓越的电气性能和适应性,成为许多高性能电子设备的首选组件。这些应用场景和参数特点共同体现了其在现代电子技术中的重要价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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