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场效应MOS管STD35NF06参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:35AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.024ΩVRDS(ON)ld通态电流:17.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD35NF06是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。它的独特参数和性能使其在许多应用场景中脱颖而出。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD35NF06常用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统中。其高效的开关特性和低导通电阻使其在电源管理应用中能够提供高效率和可靠的性能。

    2. 电机驱动:在电动机控制和驱动电路中,STD35NF06经常作为H桥电路的开关元件使用。它的快速开关能力和高电流承载能力使其适合用于需要精确控制的电机驱动系统。

    3. 照明控制:STD35NF06还应用于LED驱动电路和智能照明系统中。其高效的电流传输能力和低导通损耗使其在照明应用中能够提供稳定和高效的电源转换。

    4. 音频放大器:在音频设备和放大器电路中,STD35NF06被用作功率放大元件。其低失真和高输出效率使其能够在音频放大应用中提供高质量的音频输出。

    5. 电源开关和保护电路:STD35NF06还可用作电子设备中的电源开关和保护电路。其耐高压和高电流的特点使其能够在保护电路中提供可靠的过流和过压保护。

    二、参数特点:

    1. 耐压能力:STD35NF06的漏源极击穿电压(Vds)为60V,这使其能够在中等电压应用中工作,同时保证了电路的安全性和稳定性。

    2. 导通电阻:STD35NF06的导通电阻(Rds(on))极低,典型值为35毫欧。这一特点使其在开关状态下损耗非常低,从而提高了整个电路的效率。

    3. 电流承载能力:STD35NF06的最大漏极电流(Id)为30A,能够承载较大的电流,这使其适用于需要大电流传输的应用场景。

    4. 快速开关速度:STD35NF06的开关速度快,能够实现高频率的开关操作。这一特点在需要快速响应的电路中尤为重要,如开关电源和电机驱动电路。

    5. 栅极电荷:STD35NF06的栅极电荷(Qg)较低,典型值为70nC。这意味着它在开关操作时所需的能量较少,从而减少了驱动损耗。

    通过上述对STD35NF06应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出,STD35NF06作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,在电源管理、电机驱动、照明控制、音频放大和电源保护等领域中具有广泛的应用前景和优越的性能表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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