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场效应MOS管STD30N10F7参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:32AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.024ΩVRDS(ON)ld通态电流:16AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD30N10F7是一款常见的N沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),在许多应用场景中得到了广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD30N10F7在电源管理系统中发挥着重要作用,尤其是用于直流到直流转换器和电池管理系统。其低导通电阻和高电流处理能力,使其能够高效地管理电能传输,减少能量损耗,提升系统的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STD30N10F7常被用于控制直流电机和步进电机。其快速开关速度和高耐压特性,确保电机能够稳定运行,同时降低了电路的复杂性和成本。

    3. 工业自动化:STD30N10F7适用于各种工业自动化设备,如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器和执行器。其高可靠性和耐用性,使其在恶劣的工业环境中依然能够保持稳定的性能。

    4. 消费电子:在消费电子领域,STD30N10F7被广泛应用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,用于功率放大和电源开关管理。其小型封装和高效能特性,使其能够在有限的空间内提供优异的性能。

    5. 汽车电子:STD30N10F7在汽车电子系统中也有广泛应用,如电动汽车的电池管理系统、车载充电器和LED照明系统。其高耐压和高电流处理能力,满足了汽车电子对高可靠性和高性能的需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on)):STD30N10F7具有极低的导通电阻,仅为30毫欧姆。这使其在开通状态下能够提供较低的电压降和功率损耗,提升了整体效率。

    - 高额定电流(Id):该器件的额定电流为100安培,这意味着它能够处理高电流应用中的大电流负载,确保设备的稳定运行。

    - 高耐压(Vds):STD30N10F7的漏源极耐压为100伏特,这使其能够在高电压应用中安全运行,避免电压击穿损坏。

    - 快速开关速度:该MOSFET具有快速的开关速度,开关时间在纳秒级。这对于高频开关应用尤为重要,能够显著减少开关损耗和热量产生。

    - 热性能:STD30N10F7具有良好的热性能,能够在高温环境下保持稳定的工作状态。其热阻(Junction-to-Case)较低,有助于有效散热,延长器件寿命。

    综上所述,STD30N10F7作为一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其卓越的参数特点和广泛的应用场景,成为许多电子设备中不可或缺的重要组件。无论是在电源管理、电机驱动、工业自动化还是消费电子和汽车电子中,STD30N10F7都展示了其出色的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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