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场效应MOS管STD2NM60参数

PD最大耗散功率:46WID最大漏源电流:2AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:3.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD2NM60是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中,具有高效能和高可靠性的特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD2NM60常用于开关电源和DC-DC转换器中,因其低导通电阻和快速开关特性,能够提高电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,STD2NM60作为开关元件,能够实现精确的电流控制和快速响应,适用于工业自动化设备、家用电器等领域。

    3. 逆变器:STD2NM60在逆变器电路中,能够有效地将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能光伏系统和不间断电源(UPS)中。

    4. 照明控制:LED照明驱动电路中,STD2NM60用于调节电流,保证LED灯的稳定和高效运行,适用于商业和家庭照明系统。

    5. 通信设备:STD2NM60在无线通信设备中,用于放大和切换信号,确保设备在高频率下仍能稳定工作,适用于基站、无线接入点等。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):STD2NM60的最大漏源电压为600V,使其能够在高压环境下工作,适用于需要高耐压特性的电路中。

    - 导通电阻(Rds(on)):在Vgs=10V时,STD2NM60的导通电阻仅为3Ω,低导通电阻保证了在大电流通过时的低功耗,从而提高了电路的整体效率。

    - 漏极电流(Id):STD2NM60的最大连续漏极电流为2A,这一参数使其能够在大功率需求的场合下正常工作,如电机驱动和大功率LED照明。

    - 栅极电荷(Qg):STD2NM60的栅极电荷为10nC,这意味着其开关速度非常快,适用于高频率的开关应用,降低了开关损耗,提高了工作效率。

    - 热阻(Rth):STD2NM60具有低热阻特性,保证了在高功率工作时,能够有效散热,确保元件的稳定性和寿命。

    综上所述,STD2NM60凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关和良好的热性能,成为了众多电子设备中不可或缺的关键元件,广泛应用于电源管理、电机控制、逆变器、照明控制和通信设备等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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