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场效应MOS管STD2NK100Z参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:1.85AV(BR)DSS漏源击穿电压:1000VRDS(ON)Ω内阻:8.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD2NK100Z是一种常用于各种电子设备和电源管理系统中的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件以其高效能和可靠性在不同应用中得到广泛使用。以下是关于STD2NK100Z的应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD2NK100Z常用于直流-直流转换器和开关电源中,发挥重要的电压调节和功率管理功能。其高效能和低导通电阻特性使其成为提高系统效率的理想选择。

    2. 电动工具:在电动工具中,STD2NK100Z作为开关元件能够提供快速响应和高效率的电流控制。这对于电动工具的性能和寿命至关重要。

    3. 电池管理系统:在电动汽车和便携式设备的电池管理系统中,STD2NK100Z用于控制充电和放电过程,确保电池的安全和高效运行。

    4. 家用电器:许多家用电器,如洗衣机、冰箱和空调等,使用STD2NK100Z来控制电机和其它电气部件的工作,从而提高设备的可靠性和节能性。

    5. 工业自动化:在工业自动化系统中,STD2NK100Z被用于驱动电机和控制器件,帮助实现精确的控制和高效的操作。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD2NK100Z的典型导通电阻仅为0.6Ω,这显著降低了在高电流情况下的功率损耗,提高了整体系统的效率。

    - 高耐压性:该器件的漏源击穿电压(Vds)为100V,这使其能够在较高电压环境下安全工作,适合各种高压应用场景。

    - 高电流能力:STD2NK100Z的连续漏极电流(Id)可以达到2A,瞬态电流(Idm)可达8A,适用于需要高电流驱动的应用。

    - 快速开关速度:由于其低的栅极电荷(Qg),STD2NK100Z提供了快速的开关速度,这对于高频应用非常重要,如开关电源和电机驱动。

    - 热性能:STD2NK100Z具有良好的热阻特性(Rthj-c为62.5°C/W),这确保了在高功率应用中器件能够有效散热,维持稳定的工作状态。

    综上所述,STD2NK100Z凭借其优异的参数和广泛的应用场景,成为众多电源管理和控制系统中的首选元件。其高效能、可靠性和多功能性使其在现代电子设备中发挥着不可替代的作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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