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场效应MOS管STD2NB60参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:2.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:3.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD2NB60是一种N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍STD2NB60的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD2NB60在电源管理领域中有广泛应用,特别是在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。由于其高效的开关性能和低导通电阻,可以有效减少功率损耗,提高电源转换效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STD2NB60经常用于控制直流电机和步进电机。它能够处理高电压和大电流,提供稳定的电流输出,适用于要求高功率的应用场景。

    3. 家用电器:STD2NB60在家用电器中的应用也非常普遍,如洗衣机、空调和微波炉等。其可靠性和耐用性使其成为控制这些设备的理想选择。

    4. 照明系统:STD2NB60在LED照明系统中同样具有重要作用。它可以调节LED灯的亮度和开关状态,确保照明系统的高效运行。

    5. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,STD2NB60用于控制各种设备和传感器。其高耐压和高电流处理能力,使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。

    二、参数特点:

    1. 导通电阻:STD2NB60的典型导通电阻(RDS(on))为1.8Ω,意味着在导通状态下电阻较小,有助于减少导通损耗。

    2. 击穿电压:该器件的漏源击穿电压(VDSS)为600V,表明它能够处理高电压应用,适合用于高压电源和工业控制电路。

    3. 电流处理能力:STD2NB60的连续漏极电流(ID)为2A,脉冲漏极电流(IDM)可达8A,适用于需要处理较大电流的应用场景。

    4. 门极电荷:其典型的门极电荷(Qg)为7nC,低门极电荷使得器件在开关时能耗较低,有助于提高电路的整体效率。

    5. 热阻:STD2NB60的结到环境热阻(RthJA)为62.5°C/W,这意味着器件能够有效散热,保证在高温环境下的稳定运行。

    综上所述,STD2NB60在电源管理、电机驱动、家用电器、照明系统和工业控制等领域均有广泛应用,其高效的开关性能、低导通电阻、高电压和大电流处理能力,使其成为各种高要求应用场景的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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