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场效应MOS管STD2NB50参数

PD最大耗散功率:4WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:6ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.3~3.7VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD2NB50是一款广泛应用于各种电子设备和电路设计中的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件。它具有优异的性能参数和可靠性,适用于多种应用场景。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD2NB50常用于电源管理系统中,特别是在开关电源(Switching Power Supply)和电源适配器(Power Adapter)中。其高效率和低功耗特性使其成为这些系统中理想的选择。它能够有效地控制电流和电压,确保系统稳定运行。

    2. 电动工具:在电动工具中,STD2NB50的高电流处理能力和快速开关速度使其能够满足高功率需求。这种MOSFET能够承受高电压和高电流,适用于电钻、电锯等电动工具,保证工具的高效和长寿命。

    3. 照明系统:STD2NB50也广泛应用于现代照明系统中,如LED驱动器和智能照明控制系统。其低导通电阻和高开关速度使得照明系统能够以更高效率运行,延长灯具寿命并降低能耗。

    4. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,STD2NB50被用于电机驱动、控制系统等应用。其高可靠性和耐用性确保设备在严苛环境下依然能够稳定运行,提高了工业生产的效率和安全性。

    5. 消费电子:STD2NB50也在消费电子产品中得到了广泛应用,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。其小尺寸和高性能使其能够在这些设备中实现更高的集成度和更低的能耗,从而延长电池寿命和提高设备性能。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:STD2NB50的最大漏源电压(V_DS)为500V,使其能够在高压环境下可靠工作。这个高耐压能力使其适用于需要高电压操作的应用场景。

    - 导通电阻:该器件的导通电阻(R_DS(on))非常低,仅为1.5Ω(在V_GS = 10V时),这意味着在导通状态下损耗的功率很低,有助于提高系统的整体效率。

    - 电流处理能力:STD2NB50的最大漏极电流(I_D)为2A,能够处理较高的电流负载,适用于需要高电流传输的应用场合。

    - 开关速度:该MOSFET具有快速开关速度,典型的上升时间(t_r)和下降时间(t_f)分别为10ns和15ns。这使得STD2NB50能够在高频开关电路中表现出色,减少了开关损耗。

    - 热性能:STD2NB50具有良好的热性能,最大结温(T_J)可达150°C。这使得它能够在高温环境下稳定工作,适用于严苛的工业和环境条件。

    综上所述,STD2NB50以其优异的电气性能和可靠性,成为了各种电子设备和电路设计中的理想选择。无论是在电源管理、电动工具、照明系统、工业自动化设备还是消费电子产品中,STD2NB50都展现出了其不可或缺的价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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