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场效应MOS管STD2NB25参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:2AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD2NB25是一款由STMicroelectronics生产的功率MOSFET器件,专为需要高效率和高密度功率转换的应用而设计。接下来,我们将详细探讨其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD2NB25常见于交流到直流(AC-DC)和直流到直流(DC-DC)的转换器中,其高效的开关特性可以显著提高电源模块的整体效率和可靠性。

    2. 电池管理系统:STD2NB25也适用于电池管理系统,尤其是在需要电池保护和电量控制的便携式设备中。

    3. 电机控制:由于能够处理较高的电流和电压,STD2NB25还被用于驱动较大负载的电机控制系统,如小型电动工具和家用电器的电机。

    二、参数特点:

    - 栅极阈值电压:具有较低的栅极阈值电压(Typical Threshold Voltage),这意味着在较低的电压下就能有效开启或关闭,增加了设备在低电压应用中的灵活性。

    - 漏极-源极击穿电压:其漏极-源极击穿电压(Drain-Source Breakdown Voltage)高达250V,允许在更高的工作电压下使用,这对于高电压应用如工业电源设备非常关键。

    - 漏极持续电流:漏极持续电流(Continuous Drain Current)达到2.5A,在常温下提供稳定的电流输出,适合需要连续高功率输出的应用场景。

    - 低漏极至源极电阻:低漏极至源极电阻(Low R_DS(on))也有助于减少能量损失,提高整体效率。

    综合来看,STD2NB25的应用场景多样且参数特点优异,使其成为许多高要求电子系统中不可或缺的组件。其能在各种环境下提供可靠的性能,确保设备运行的高效与稳定。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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