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场效应MOS管STD2NA50T4参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:2.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:4ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD2NA50T4是一种具备高性能和可靠性的功率MOSFET,它在各种应用场景中都展现了卓越的优势。本文将详细介绍STD2NA50T4的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD2NA50T4常用于开关电源中,由于其高效率和快速开关特性,可以有效减少能量损失,提高整体系统效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STD2NA50T4能够提供高效的功率转换,确保电机运行的稳定性和可靠性。同时,它的低导通电阻和高耐压特性使其非常适合于高电流的电机驱动场景。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STD2NA50T4通过其优异的电气特性保证了电源的稳定输出,提供高效的功率转换和快速的响应时间,确保在电源故障时仍能提供连续的电力供应。

    4. 照明系统:STD2NA50T4也广泛应用于照明系统中,其高效能和可靠性能够满足LED驱动和其他高效照明系统的需求,提供稳定且长寿命的性能。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,STD2NA50T4的高效率和低损耗特性使其成为理想选择,能够最大化太阳能电池的能量转换效率,减少能量损失。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on):STD2NA50T4具有非常低的导通电阻,这意味着在高电流通过时,能量损失较低,从而提高了整体效率。

    - 高耐压:STD2NA50T4的漏源电压高达500V,适用于高压应用场景,确保在高压条件下的稳定运行。

    - 快速开关速度:STD2NA50T4拥有极快的开关速度,能够在高频操作中表现出色,减少开关损耗,提升系统效率。

    - 高脉冲电流能力:STD2NA50T4的脉冲电流能力高达8A,使其在需要瞬时高电流的应用中表现优异,确保设备的可靠性。

    - 低栅极电荷:STD2NA50T4的低栅极电荷特性使其驱动功耗较低,有助于实现更高效的栅极驱动电路设计,减少整体能耗。

    通过以上详细的介绍,我们可以看到STD2NA50T4在多个应用场景中的广泛应用及其突出的参数特点,这使得它成为许多高效能、高可靠性电子设备的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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