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场效应MOS管STD2N62K3参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:2.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:620VRDS(ON)Ω内阻:3.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD2N62K3是一款常见的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景和显著的参数特点。以下是详细描述:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD2N62K3在电源管理领域发挥着重要作用。它通常用于DC-DC转换器、AC-DC电源、开关电源等设备中,通过其高效的开关特性和低导通电阻,提供稳定且高效的电力转换。这使其在智能家居设备、工业控制系统和计算机电源供应中得到了广泛应用。

    2. 电机驱动:STD2N62K3也广泛应用于电机驱动控制中。在电动工具、电动汽车和机器人等应用中,利用其出色的电流处理能力和高开关频率,实现高效的电机驱动控制,确保设备的性能和可靠性。

    3. 太阳能系统:由于STD2N62K3具有高耐压和高效率的特点,它在太阳能逆变器和光伏系统中被广泛应用。其能够在高电压环境下稳定工作,提升太阳能系统的整体效率和可靠性,成为绿色能源系统的重要组成部分。

    4. 电池管理:在电池管理系统中,STD2N62K3用于电池保护电路和充放电控制。其低导通电阻和快速开关特性,可以有效减少能量损耗,提高电池的使用寿命和充电效率,广泛应用于电动汽车和便携式设备中。

    5. 照明系统:STD2N62K3在LED照明系统中也扮演重要角色。其高效的功率转换能力和耐用性,确保LED驱动电路能够长期稳定运行,广泛应用于室内外照明和汽车照明系统中。

    二、参数特点:

    - 导通电阻低:STD2N62K3具有极低的导通电阻(R_DS(on)),通常在0.13欧姆左右。这一特点使其在高电流应用中能有效降低功耗,提高整体系统效率。

    - 高耐压:STD2N62K3的漏源击穿电压(V_DS)高达600V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景,如电源管理和太阳能系统。

    - 高开关速度:该型号的MOSFET具备快速的开关特性,典型的上升时间和下降时间分别为30ns和20ns。这一特点使其在高频开关电路中表现出色,能够显著提高电路的开关效率和性能。

    - 门极电荷量低:STD2N62K3的门极电荷量(Q_g)较低,典型值为16nC。这意味着其在驱动时所需的能量较少,有助于减少驱动损耗,提高整体系统的能效。

    - 热阻低:STD2N62K3具有较低的热阻(R_thJC),通常在2.5°C/W左右。这使得其在高功率应用中能够更好地散热,提升器件的可靠性和使用寿命。


    STD2N62K3作为一款性能优异的N沟道功率MOSFET,以其低导通电阻、高耐压、高开关速度、低门极电荷量和低热阻等特点,广泛应用于电源管理、电机驱动、太阳能系统、电池管理和照明系统等多个领域,为各种电子设备提供了高效、可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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