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场效应MOS管STD1NK80Z-1参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:16ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD1NK80Z-1是一种功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于各种电子电路中,特别是在需要高效率和可靠性的领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD1NK80Z-1常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。其低导通电阻和高电流能力使其成为电源管理应用中的理想选择,能够提高系统的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STD1NK80Z-1由于其快速开关速度和高能效,常用于驱动直流电机和步进电机。这有助于提高电机的响应速度和性能。

    3. 负载开关:STD1NK80Z-1可用于高电流负载的开关,如LED照明、加热器和其它需要大电流的设备。其高耐压特性保证了在高电压环境下的安全运行。

    4. 逆变器电路:在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中,STD1NK80Z-1的高效能和可靠性使其成为转换和调节电力的关键元件,确保电力传输的稳定和高效。

    5. 汽车电子:STD1NK80Z-1由于其良好的耐热性和耐压性,广泛应用于汽车电子系统,如电动窗、电子助力转向系统(EPS)和电池管理系统(BMS),提高了汽车系统的安全性和稳定性。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:STD1NK80Z-1的漏源极耐压(Vds)为800V,使其能够在高电压环境中稳定工作,适用于高压应用场景。

    - 导通电阻(Rds(on)):其最大导通电阻为1.4Ω(典型值),在导通状态下能提供低电阻路径,从而减少功率损耗,提高能效。

    - 最大漏极电流(Id):STD1NK80Z-1的最大连续漏极电流为1A,脉冲漏极电流(Id,pulse)可达到4A,适应高瞬时电流需求的应用。

    - 开关速度:其开关速度快,具有典型的上升时间(tr)和下降时间(tf),这使其在高频开关应用中表现出色,有效减少开关损耗。

    - 热性能:STD1NK80Z-1具有良好的热性能,其热阻(Rth(j-a))为62.5℃/W,有助于在高功率应用中有效散热,确保器件长时间稳定运行。

    综上所述,STD1NK80Z-1是一款适用于多种高要求应用场景的高性能功率MOSFET,其优异的参数特点使其在电源管理、电机驱动、负载开关、逆变器和汽车电子等领域中广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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