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场效应MOS管STD1NK60T4参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:8.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.7VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD1NK60T4是一种N沟道增强型MOSFET,广泛应用于电子电路中。以下将详细介绍STD1NK60T4的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中,STD1NK60T4作为开关元件,能有效提升系统的效率和可靠性。它的低导通电阻和快速开关特性使其在这些应用中表现出色。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STD1NK60T4能够提供高效的电流控制和驱动能力,特别适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机等需要高精度控制的场合。

    3. 消费电子产品:在电视、音响系统等消费电子产品中,STD1NK60T4用于电源和信号控制部分,能够提升产品的性能和使用寿命。

    4. 工业控制:在PLC、工业自动化设备中,STD1NK60T4的高可靠性和耐高压特性使其成为控制单元的重要组成部分。

    5. 汽车电子:在车载电子设备中,如车载充电器、逆变器等,STD1NK60T4的高效开关和低热损特性能够有效改善设备性能并降低能耗。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:STD1NK60T4的漏源击穿电压(BVDSS)为600V,这使其能够在高压环境中安全运行,适用于需要高耐压能力的应用场合。

    - 导通电阻:STD1NK60T4的典型导通电阻(RDS(on))为5.5Ω(在10V栅源电压下),这一低导通电阻特性确保了其在开关状态下的低功耗和高效率。

    - 电流能力:STD1NK60T4的连续漏极电流(ID)为1A(在25°C环境温度下),这一参数使其能够处理中等功率的应用需求。

    - 开关速度:STD1NK60T4具有快速开关特性,其开关时间(开通时间和关断时间)较短,能够在高频应用中提供优异的性能表现。

    - 热性能:STD1NK60T4具有较低的热阻(热阻从结到环境为62.5°C/W),这有助于在高功率应用中更好地管理热量,提升器件的可靠性和寿命。

    综上所述,STD1NK60T4凭借其优异的电气特性和可靠性,被广泛应用于电源管理系统、电机驱动、消费电子产品、工业控制以及汽车电子等多个领域。其高耐压、低导通电阻、优异的电流能力和快速开关性能使其成为这些应用中不可或缺的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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