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场效应MOS管STD1NC50T4参数

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    STD1NC50T4是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。下面将详细介绍 STD1NC50T4的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD1NC50T4在开关电源中的应用非常广泛。由于其高效的开关特性和低导通电阻,使得它能够有效地减少功率损耗,提高电源转换效率。它通常用于DC-DC转换器、AC-DC转换器等各种类型的开关电源中。

    2. 电动工具:电动工具需要高效且耐用的功率器件来驱动电机。STD1NC50T4的高电流能力和低开关损耗使其成为电动工具中电机驱动的理想选择,能够提供稳定且强劲的电流支持。

    3. 电池管理系统:在电池管理系统(BMS)中,STD1NC50T4主要用于电池的充放电控制。其良好的开关特性和低导通电阻,有助于提高电池管理系统的效率和可靠性,延长电池使用寿命。

    4. 汽车电子:STD1NC50T4在汽车电子中的应用也非常重要,例如在汽车照明系统、电子控制单元(ECU)等方面。其高可靠性和高耐压特性,使其能够在复杂和严苛的汽车环境中稳定工作。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,STD1NC50T4被用于各种驱动电路和控制电路。其高效的开关特性和低损耗特性,能够帮助工业设备实现更高的能效和更可靠的性能。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:STD1NC50T4的漏源极耐压(V_DS)为500V,能够承受高电压工作环境。这使得它在高压应用中表现出色,如工业设备和电动工具。

    - 导通电阻:STD1NC50T4的典型导通电阻(R_DS(on))仅为0.15Ω,这意味着它在导通状态下的功率损耗非常低,能够提高系统的整体效率。

    - 电流能力:STD1NC50T4的最大连续漏极电流(I_D)为1A,适合用于中小功率的应用场景。这一电流能力满足了大多数开关电路和驱动电路的需求。

    - 开关特性:STD1NC50T4具有快速开关特性,其开关时间(t_on和t_off)分别为10ns和20ns。这些快速的开关特性使其在高频应用中表现优异,能够有效减少开关损耗。

    - 封装形式:STD1NC50T4采用SOT-223封装形式,具有良好的散热性能和紧凑的尺寸设计,适合用于各种空间受限的应用场景。封装的设计也使其安装和使用更加方便。

    综上所述,STD1NC50T4的应用场景和参数特点得到了全面的展现。其在各种电源管理、驱动电路和高效开关应用中的表现,使其成为业界广泛应用的功率MOSFET之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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