PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:20ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源转换器:在AC-DC和DC-DC转换器中,STD1NB80-1常用于主开关器件。其高耐压特性能够应对高压输入,并提供高效的功率转换。
2. 电动汽车充电器:充电器电路需要处理高电压和大电流,STD1NB80-1的高耐压和低导通电阻特性使其成为理想的选择,可以有效减少能量损耗,提升充电效率。
3. 工业电源:在工业电源应用中,STD1NB80-1被用作高效开关器件,以满足工业设备对高可靠性和高效能的要求。
4. LED驱动器:LED驱动电路需要稳定的电源和高效的电流控制,STD1NB80-1能够提供稳定的输出和低能耗,使其适用于各类LED照明设备。
5. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STD1NB80-1用于转换和调节电流,确保设备在电源中断时依然能够正常运行,其高效能和可靠性是关键因素。
二、参数特点:
- 高耐压:STD1NB80-1的漏源极耐压为800V,能够处理高压环境中的电源管理任务,适用于工业和电动汽车等高压应用。
- 低导通电阻:其典型导通电阻仅为5Ω,保证了在高电流情况下的低功耗运行,提升了整体电路的能效。
- 高脉冲电流能力:STD1NB80-1能够承受高达10A的脉冲电流,使其在需要瞬时高电流的场合表现优异,如电动汽车和工业电源。
- 快速开关速度:其开关速度快,能够在高频率的开关电路中有效工作,减少了开关损耗,提升了电路的效率和性能。
- 低栅极电荷:STD1NB80-1的栅极电荷较低,仅为20nC,这意味着它在驱动时所需的功率较小,有助于降低驱动电路的复杂性和能耗。
综上所述,STD1NB80-1是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种电源管理和控制电路。从电源转换器到电动汽车充电器,从工业电源到LED驱动器以及不间断电源系统,STD1NB80-1凭借其卓越的电气特性和可靠性,成为了这些领域中的理想选择。
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