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场效应MOS管STD1NB80-1参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:20ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD1NB80-1是一款高压N沟道MOSFET,广泛应用于各种需要高效开关和低导通电阻的电源管理和控制电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:在AC-DC和DC-DC转换器中,STD1NB80-1常用于主开关器件。其高耐压特性能够应对高压输入,并提供高效的功率转换。

    2. 电动汽车充电器:充电器电路需要处理高电压和大电流,STD1NB80-1的高耐压和低导通电阻特性使其成为理想的选择,可以有效减少能量损耗,提升充电效率。

    3. 工业电源:在工业电源应用中,STD1NB80-1被用作高效开关器件,以满足工业设备对高可靠性和高效能的要求。

    4. LED驱动器:LED驱动电路需要稳定的电源和高效的电流控制,STD1NB80-1能够提供稳定的输出和低能耗,使其适用于各类LED照明设备。

    5. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STD1NB80-1用于转换和调节电流,确保设备在电源中断时依然能够正常运行,其高效能和可靠性是关键因素。

    二、参数特点:

    - 高耐压:STD1NB80-1的漏源极耐压为800V,能够处理高压环境中的电源管理任务,适用于工业和电动汽车等高压应用。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻仅为5Ω,保证了在高电流情况下的低功耗运行,提升了整体电路的能效。

    - 高脉冲电流能力:STD1NB80-1能够承受高达10A的脉冲电流,使其在需要瞬时高电流的场合表现优异,如电动汽车和工业电源。

    - 快速开关速度:其开关速度快,能够在高频率的开关电路中有效工作,减少了开关损耗,提升了电路的效率和性能。

    - 低栅极电荷:STD1NB80-1的栅极电荷较低,仅为20nC,这意味着它在驱动时所需的功率较小,有助于降低驱动电路的复杂性和能耗。

    综上所述,STD1NB80-1是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种电源管理和控制电路。从电源转换器到电动汽车充电器,从工业电源到LED驱动器以及不间断电源系统,STD1NB80-1凭借其卓越的电气特性和可靠性,成为了这些领域中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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