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场效应MOS管STD1NB60参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:8.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD1NB60是一款高性能的功率MOSFET,常用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD1NB60经常用于开关电源中,作为主开关管,负责将直流电转换为交流电,或者在DC-DC转换器中实现不同电压之间的转换。其高开关速度和低导通电阻使其在高效能转换器中表现出色。

    2. 电动机控制:在工业和家用电动机的控制电路中,STD1NB60能够承受高电压和大电流,适用于驱动电机的桥式电路和逆变器,确保电动机稳定运行并提高效率。

    3. 照明系统:STD1NB60也常用于LED照明驱动电路,因其高效率和高可靠性,使得LED灯具在长期使用中能够保持稳定的亮度和低功耗。

    4. 太阳能逆变器:在可再生能源领域,STD1NB60被广泛应用于太阳能逆变器中,负责将太阳能板产生的直流电转换为可用的交流电,提升系统的整体效率和稳定性。

    5. UPS不间断电源:STD1NB60在UPS系统中起到关键作用,确保在电网断电时,能够迅速切换到备用电源,保障重要设备的不间断运行。

    二、参数特点:

    - 高电压能力:STD1NB60的漏源极电压(Vds)高达600V,这使得它能够在高电压应用中安全工作,适合需要高耐压的场合,如电源转换和电动机控制。

    - 低导通电阻:该器件的导通电阻(Rds(on))非常低,仅为1.0Ω(典型值),这意味着在导通状态下,电能损耗较小,提高了整个系统的效率。

    - 高电流承载能力:STD1NB60的最大漏极电流(Id)可达1A,能够处理较大的电流负载,适合功率较高的应用场合。

    - 快速开关速度:得益于其MOSFET结构,STD1NB60具有极快的开关速度,能够在高频应用中有效工作,减少开关损耗,提升系统的效率。

    - 良好的热性能:STD1NB60在高功率应用中具有良好的热性能,其封装设计和材料选择使得它能够在高温环境中稳定工作,确保器件的长寿命和可靠性。

    综上所述,STD1NB60在各种高电压、大电流和高频应用中表现出色,凭借其高电压能力、低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度和良好的热性能,成为电子设备和电力系统中的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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