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场效应MOS管STD1NB50参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:1.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:9ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD1NB50是一款广泛应用于各种电子设备和电路设计中的N沟道功率MOSFET。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在各种电源管理电路中,STD1NB50被用作开关元件,帮助实现高效的电能转换。它在DC-DC转换器和AC-DC转换器中发挥关键作用,提供高效的功率传输和降低能量损耗。

    2. 电机驱动:在电动机控制电路中,STD1NB50常被用来驱动电机。其高电流和低导通电阻的特性,使其能够提供足够的电流和快速的开关速度,从而提高电机的性能和效率。

    3. LED照明:在LED驱动电路中,STD1NB50用于调节电流,确保LED灯具的稳定工作。其高效的开关特性和低导通损耗,帮助实现节能和延长LED寿命。

    4. 开关电源:在开关电源设计中,STD1NB50被用作主要的开关元件,帮助实现高效的电能转换和稳定的输出电压。其优良的热管理和高电流承载能力,使其成为开关电源设计中的理想选择。

    5. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,STD1NB50用于各种开关和控制电路。其可靠性和高效能,使其适用于工业环境中的高要求应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STD1NB50的典型导通电阻非常低,这意味着在导通状态下电流通过时的电压降较小,从而减少了功耗和热量的产生。这一特性使其在高效电源和电机驱动应用中表现出色。

    - 高电流处理能力:STD1NB50能够处理较大的电流,这使其适用于需要高电流的应用,如电源管理和电机控制。其最大连续漏极电流(ID)为50A,能够满足大多数高电流需求。

    - 快速开关速度:STD1NB50具有快速的开关速度,能够实现快速的开关动作,从而提高电路的整体效率。其开关时间通常在纳秒级别,这对需要快速响应的应用非常重要。

    - 耐高压特性:STD1NB50具有较高的漏源极电压(VDS)额定值,通常为100V。这使其能够在高压应用中稳定工作,提供可靠的性能。

    - 良好的热管理:STD1NB50的热阻较低,能够有效地散热,确保在高功率应用中的稳定运行。其封装形式通常为DPAK或其他具有良好散热性能的封装,进一步提高了其在高功率应用中的可靠性。

    综上所述,STD1NB50以其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度、耐高压特性和良好的热管理,成为各种电源管理、电机驱动、LED照明、开关电源和工业控制应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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