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场效应MOS管STD1NA60参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:1.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:8ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD1NA60是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD1NA60常用于开关电源中的开关元件。由于其低导通电阻和高效率,能有效地减少功耗并提高电源转换效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动器中,STD1NA60可以作为控制电流的开关元件,用于调节电机的速度和转矩。其高电流处理能力和快速开关速度使其在这一领域表现出色。

    3. 不间断电源(UPS):STD1NA60在UPS系统中用作逆变器和整流器的核心组件。它能承受高电压和大电流,确保在电力转换过程中稳定可靠地工作。

    4. 光伏逆变器:光伏逆变器需要将直流电转换为交流电,STD1NA60的高效率和耐高压特性使其成为这一应用的理想选择。

    5. 电池管理系统:在电池管理系统中,STD1NA60可用于电池充放电控制,保护电池组不受过充或过放的损害,提高整个系统的可靠性和寿命。

    二、参数特点:

    - 高耐压性:STD1NA60的漏源极耐压(V_DS)为600V,这使得它适用于高电压应用场景,如工业电源和电机控制。

    - 低导通电阻:其导通电阻(R_DS(on))在典型情况下仅为1.2Ω,较低的导通电阻能够显著减少导通损耗,提升整体效率。

    - 高电流能力:STD1NA60的最大漏极电流(I_D)为1A,能够处理较大的电流负载,适用于需要高电流传输的应用。

    - 快速开关特性:由于其栅极电荷(Q_g)较低,STD1NA60能够实现快速的开关速度,适合高频开关电源和脉冲应用。

    - 可靠性高:STD1NA60具有较高的击穿电压和热稳定性,在苛刻的工作环境下依然能够保持高可靠性,减少故障风险。

    综上所述,STD1NA60作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关特性和高可靠性,广泛应用于开关电源、电机驱动、不间断电源、光伏逆变器和电池管理系统等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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