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场效应MOS管STD19NE06L参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:19AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.06ΩVRDS(ON)ld通态电流:9.5AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD19NE06L是一种广泛应用于各种电子设备中的功率MOSFET器件。它的应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD19NE06L在电源管理中发挥着至关重要的作用,尤其是在开关电源和电池管理系统中。由于其低导通电阻和高效能量传输能力,它能有效降低能量损耗,提高整体系统效率。

    2. 电机驱动:在直流电机驱动应用中,STD19NE06L被广泛用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流处理能力和快速开关特性使其成为电机驱动器件的理想选择。

    3. 自动化设备:STD19NE06L在自动化设备中,如可编程逻辑控制器(PLC)和工业机器人控制系统中,提供了可靠的电力控制和分配。其稳定的性能和高耐用性确保了设备的长时间稳定运行。

    4. 消费电子:在消费电子设备中,STD19NE06L经常用于电源适配器、音频放大器和LED驱动器等应用中。它的低功耗和高效率特点使其非常适合这些需要高效能量转换的设备。

    5. 通信设备:STD19NE06L在通信设备中,如路由器、基站和数据中心电源管理中,也有广泛应用。其可靠的性能和高效能量管理能力能够满足这些设备对电力供应的高要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD19NE06L的典型导通电阻(R_DS(on))仅为19毫欧(mΩ),这意味着它在导通状态下的电阻非常低,从而减少了功耗和热量产生,提高了系统效率。

    - 高电流处理能力:STD19NE06L具备较高的电流处理能力,最大连续漏极电流(I_D)为60安培(A)。这种高电流能力使其适用于需要处理大电流的应用场景,如电机控制和电源管理。

    - 高击穿电压:STD19NE06L的漏源击穿电压(V_DS)为60伏(V),这表明它能够在较高的电压条件下稳定运行,适用于多种高压应用环境。

    - 快速开关特性:STD19NE06L具有快速的开关特性,典型的开关时间非常短,能够快速响应控制信号。这对于需要高频开关操作的应用,如开关电源和高频变换器,尤为重要。

    - 低栅极电荷:STD19NE06L的栅极电荷(Q_G)较低,这有助于降低驱动电路的功耗和复杂性,使得设计更为简便和高效。

    综上所述,STD19NE06L作为一种高性能的功率MOSFET器件,凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关特性和低栅极电荷等参数特点,广泛应用于电源管理、电机驱动、自动化设备、消费电子和通信设备等多个领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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