PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.165ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理系统:STD18NF25在电源管理系统中扮演着重要角色,特别是在DC-DC转换器中。它能够高效地进行电压转换和稳压,减少能量损耗,提高系统效率。
2. 电动汽车:在电动汽车中,STD18NF25被用于电池管理系统(BMS)和电机驱动电路。其高电流处理能力和低导通电阻使其在这些高要求的应用中表现优异。
3. 消费电子:在笔记本电脑、智能手机等消费电子产品中,STD18NF25用于电源开关和负载开关。它的高开关速度和低栅极电荷使其非常适合这些应用。
4. 工业自动化:在工业自动化设备中,STD18NF25用于控制电机和执行器。其高可靠性和高效能确保了设备的稳定运行。
5. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,STD18NF25用于逆变器电路中,实现直流电到交流电的转换。其高效能和耐用性使其在这类应用中得到广泛使用。
二、参数特点:
- 漏源电压(Vds):STD18NF25的最大漏源电压为250V。这意味着它能够在高达250V的电压下稳定工作,适合高压应用。
- 导通电阻(Rds(on)):STD18NF25在Vgs=10V时的导通电阻仅为0.135Ω。这一低导通电阻使其在导通状态下具有较低的功耗,提高了效率。
- 漏极电流(Id):在25°C时,STD18NF25的最大连续漏极电流为18A。这表明它能够处理较大的电流,适用于需要高电流的应用场景。
- 栅极电荷(Qg):STD18NF25的总栅极电荷为58nC。这一低栅极电荷确保了其能够快速开关,适合高频率开关应用。
- 结温范围(Tj):STD18NF25的工作结温范围为-55°C到175°C。其宽广的工作温度范围使其能够在各种极端环境中稳定运行,适应性强。
综上所述,STD18NF25是一款性能优越的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景和出色的参数特点。无论是在电源管理、消费电子,还是在工业自动化和新能源领域,STD18NF25都展现出了其独特的优势和广泛的适用性。
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