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场效应MOS管STD18NF03参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.05ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD18NF03是一款低电压N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD18NF03经常用于开关电源(SMPS)中,尤其是在负载开关和保护电路中。其低导通电阻和高开关速度使其非常适合高效能的电源管理应用。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,STD18NF03可以用作电机控制器,能够高效地处理电机启动和停止时的高电流需求,确保电机运行的平稳和高效。

    3. DC-DC转换器:STD18NF03常用于DC-DC转换器中,其高效率和低损耗特性使其成为稳压和降压转换器的理想选择,广泛应用于便携设备和嵌入式系统中。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,STD18NF03用于电池保护电路,以防止过充、过放和短路。其快速的开关能力和低功耗特性,有助于延长电池的寿命和提高系统的安全性。

    5. 消费电子产品:STD18NF03也广泛应用于各类消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。其低功耗和高效能特性,使得这些设备在功耗和性能之间取得了良好的平衡。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD18NF03的RDS(on)值非常低,典型值为0.018欧姆。这意味着在导通状态下,其电能损耗很小,有助于提高系统的效率和减少热量的产生。

    - 高脉冲电流能力:STD18NF03能够处理高达80A的脉冲电流,使其在需要高峰值电流的应用中表现出色,例如在电机启动或突发负载变化时。

    - 快速开关速度:其开关速度非常快,能够实现快速的电流切换,这对高频率应用非常重要,如开关电源和高频DC-DC转换器中。

    - 低栅极电荷:STD18NF03的总栅极电荷(Qg)仅为50nC左右,这使得其在开关时所需的驱动能量较低,适用于高效能和低功耗的应用场景。

    - 坚固的封装:STD18NF03采用TO-252封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在各种严苛的工作环境下使用。同时,其封装尺寸较小,适合高密度的PCB设计。

    STD18NF03凭借其优越的电气特性和可靠的物理性能,在现代电子设计中占据了重要地位,是许多工程师的首选器件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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