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场效应MOS管STD17NF03L参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.05ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD17NF03L是一款高效的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子和电力应用场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源中,STD17NF03L被用作主要的开关元件。其低导通电阻和快速开关速度使其非常适合高效能量转换,减少功率损耗。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,STD17NF03L可以提供稳定的高电流输出,适用于直流电机和步进电机的驱动。这种MOSFET的高可靠性和耐用性确保了电机的平稳运行。

    3. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,STD17NF03L用于电池保护和管理。它能够高效控制充电和放电过程,延长电池寿命并提高系统的安全性。

    4. 逆变器:在光伏和风能系统的逆变器中,STD17NF03L作为关键的开关元件,能够高效转换直流电为交流电,提升能源转换效率。

    5. 负载开关:在智能家居和工业自动化中,STD17NF03L常用于控制大电流负载的开关操作,其高电流处理能力和快速响应时间非常适合这种应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD17NF03L的典型导通电阻(RDS(on))为13mΩ,这意味着在工作过程中它产生的导通损耗非常低,有助于提高整个系统的效率。

    - 高电流处理能力:STD17NF03L的最大连续漏极电流(ID)为120A,这使它能够处理大电流应用,适用于需要高功率输出的场景。

    - 快速开关速度:STD17NF03L的开关速度非常快,典型的上升时间(tr)和下降时间(tf)分别为17ns和8.5ns。这一特点使其在高频率开关电路中表现出色,减少开关损耗。

    - 高击穿电压:STD17NF03L的漏源击穿电压(V(BR)DSS)为30V,能够在高压环境下稳定工作,提供更大的设计灵活性和安全性。

    - 热性能:STD17NF03L具有良好的热性能,其结-外壳热阻(RthJC)为0.9°C/W,能够高效散热,确保在高功率工作时温度保持在安全范围内。

    综上所述,STD17NF03L凭借其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度、高击穿电压和优异的热性能,成为各种电子和电力应用中的理想选择。其在电源管理、电机驱动、电池管理系统、逆变器和负载开关等领域的广泛应用,充分展示了其优越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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