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场效应MOS管STD16N65M5参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.279ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD16N65M5是一种常用于电源管理和高效能开关应用的MOSFET器件,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源适配器和充电器:STD16N65M5能够有效提升能效,减少热量生成,提高整体系统的可靠性和寿命。

    2. 照明系统:在LED照明中,STD16N65M5的高效能开关特性可以显著降低能耗,提高光效。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STD16N65M5被用作开关元件,确保在电源中断时迅速切换至备用电源,提供连续的电力供应。

    4. 工业电机驱动:在需要精确控制和高效能量传递的工业电机控制系统中,STD16N65M5发挥着关键作用,确保系统的稳定和高效运行。

    5. 太阳能逆变器:STD16N65M5在太阳能逆变器中用于高效转换太阳能为电能,最大化能源利用效率。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDS):650V,这使得STD16N65M5能够在高压环境下稳定工作,适用于各种高压电源管理系统。

    - 导通电阻(RDS(on)):最大值为0.37Ω,较低的导通电阻保证了在开关时的低功耗和高效能传输。

    - 漏极电流(ID):16A,较高的漏极电流允许STD16N65M5处理更大的电流负载,适合高功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):典型值为62nC,较低的栅极电荷使得STD16N65M5在高速开关应用中表现优异,减少开关损耗。

    - 工作温度范围:-55°C到150°C,这使得STD16N65M5在极端温度条件下仍能保持可靠的性能,适用于各种恶劣环境。

    综上所述,STD16N65M5作为一款高性能的MOSFET,凭借其卓越的参数特点和广泛的应用领域,成为电源管理和高效能开关应用中的重要器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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