收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管STD14NM50N参数

场效应MOS管STD14NM50N参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.32ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    STD14NM50N是一款来自STMicroelectronics的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景。以下是一些典型应用:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD14NM50N由于其高效率和低导通电阻,非常适合用于各种开关电源中,如计算机电源、家电电源和工业电源等。这些电源系统需要高效的开关器件以减少能耗和提高整体系统的可靠性。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,STD14NM50N的高电流处理能力和快速开关速度使其成为理想选择,特别是在无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制应用中。

    3. 太阳能逆变器:STD14NM50N适用于太阳能发电系统中的逆变器部分,能够高效地转换直流电为交流电,从而最大化太阳能板的输出效率。

    4. 照明系统:在LED驱动电路和其他高效照明系统中,STD14NM50N的高开关频率和低功耗特点,使其在提高系统效率和延长灯具寿命方面有显著优势。

    5. 电池管理系统:对于电动汽车和便携式电子设备中的电池管理系统,STD14NM50N提供了高效的充电和放电控制,确保电池的安全性和长寿命。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(V_DS):500V。STD14NM50N可以处理高达500伏的电压,这使其适合于高压应用,如工业控制和电力传输系统。

    - 导通电阻(R_DS(on)):0.31Ω(典型值)。较低的导通电阻意味着在开关状态下的功耗较低,有助于提高系统的效率和减少热量产生。

    - 连续漏极电流(I_D):14A。在25摄氏度环境温度下,STD14NM50N能够处理高达14安培的电流,这使其适用于需要高电流处理能力的应用,如电机控制和电源管理。

    - 栅极电荷(Q_g):36nC。较低的栅极电荷使得STD14NM50N能够快速切换,有助于减少开关损耗并提高开关频率。

    - 封装类型:TO-252。STD14NM50N采用的是TO-252封装,这种封装形式具有良好的热性能和机械强度,适合在各种恶劣的工作环境中使用。

    综上所述,STD14NM50N展现了其在多种应用场景中的广泛适用性和卓越性能。其高电压处理能力、低导通电阻和快速开关速度,使其成为电源管理、电机控制和高效能电子系统中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号