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场效应MOS管STD13N60M2参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.38ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD13N60M2是一款高压功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源适配器和充电器:STD13N60M2常用于电源适配器和充电器的设计中,尤其是那些需要高效率和高可靠性的设备。它可以提供稳定的电流输出,同时有效减少热量生成,从而提高设备的使用寿命和性能。

    2. 照明设备:在LED照明系统中,STD13N60M2能够高效转换电能,确保LED灯具的稳定运行。这款MOSFET的高压特性使其特别适合于高压LED驱动电路,确保系统安全和可靠。

    3. 工业控制:工业自动化设备需要高可靠性和高耐压能力,STD13N60M2能够在恶劣环境下稳定工作,常用于各种电机驱动和工业控制电路中。

    4. 太阳能逆变器:STD13N60M2在太阳能光伏系统中发挥重要作用,尤其是在逆变器部分。它的高效能和耐用性能够确保太阳能系统的高效运行,提升整体能量转换效率。

    5. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STD13N60M2被用来确保在电力中断时能快速切换到备用电源,提供稳定的电力供应,保护关键设备不受电压波动影响。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:STD13N60M2的耐压值高达600V,使其适用于高压应用场景,如电源管理和工业控制。这一特性确保了MOSFET在高电压环境下的稳定运行。

    - 低导通电阻:其导通电阻仅为0.42Ω(最大值),这使得STD13N60M2在工作时能够有效降低功率损耗,提高系统效率。同时,低导通电阻也有助于减少器件的发热,延长使用寿命。

    - 快速开关速度:STD13N60M2拥有快速的开关速度,这对于高频率应用至关重要。它能够在短时间内完成开关动作,减少开关损耗,提高整体效率。

    - 封装类型:该型号采用DPAK封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合表面贴装技术(SMT)应用。DPAK封装的设计使得STD13N60M2能够在较小的空间内提供优异的电气性能和散热能力。

    - 安全可靠性:STD13N60M2具有高脉冲耐受能力和良好的抗电击穿性能。这些特点确保了MOSFET在过载和突发电流情况下的安全性,增强了整个系统的可靠性。

    综上所述,STD13N60M2是一款性能优越、应用广泛的高压功率MOSFET,其高耐压能力、低导通电阻、快速开关速度等特点使其在各种高要求的电子设备中得到了广泛应用。无论是电源适配器、LED照明、工业控制、太阳能逆变器还是不间断电源系统,STD13N60M2都能够提供可靠的电气性能和高效的能量转换。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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