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场效应MOS管STD12N10L参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD12N10L是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。本文将详细探讨STD12N10L的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD12N10L常用于电源管理系统中,如DC-DC转换器和AC-DC转换器。其低导通电阻和快速开关速度使其在这些应用中具有高效能和低功耗的优势。

    2. 电机驱动:在电机驱动领域,STD12N10L凭借其高电流处理能力和耐压特性,适用于各种电机控制电路,确保电机运行的稳定性和可靠性。

    3. LED驱动:STD12N10L还被广泛应用于LED驱动电路中,特别是高亮度LED照明系统。它的高效能可以有效减少热量产生,提高系统的整体效率。

    4. 开关电源:在开关电源设计中,STD12N10L因其快速开关特性和高耐压能力,成为设计师的常用选择,有助于提升电源的转换效率和稳定性。

    5. 保护电路:STD12N10L也被应用于各种保护电路中,如过流保护和过压保护,利用其快速响应特性和可靠性,确保电子设备的安全运行。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:STD12N10L的导通电阻为120毫欧姆(典型值),在10V栅极驱动电压下。这一特性使其在高电流应用中具有低损耗的优点,减少了功率耗散,提高了系统效率。

    - 漏源电压:STD12N10L的最大漏源电压为100V,这意味着它可以处理高电压应用,适用于各种需要高耐压的电路设计。

    - 漏极电流:STD12N10L的最大连续漏极电流为12A(在25摄氏度时),这使其能够在高电流应用中稳定运行,适用于大功率设备。

    - 栅极电荷:STD12N10L的栅极电荷为32nC(典型值),较低的栅极电荷确保了它在开关时的快速响应,适合高频率开关应用。

    - 热性能:STD12N10L具有良好的热性能,结-壳热阻为1.25摄氏度/瓦,能够有效散热,确保在高功率应用中的可靠性和稳定性。

    综上所述,STD12N10L以其优异的电气特性和广泛的应用场景,成为电源管理、驱动电路、LED照明和保护电路中的理想选择。其低导通电阻、高耐压、高电流处理能力以及快速响应特性,使其在各种复杂的电子设计中展现出卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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