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场效应MOS管STD120N4F6参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.004ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD120N4F6是一款常见的功率场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电源管理和功率控制领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源供应器:STD120N4F6在开关电源和线性电源中都有应用。在开关电源中,它可以作为功率开关,控制电源的开关状态,实现高效的能量转换。在线性电源中,它可以作为电压调节器,通过控制电流来调节输出电压。

    2. 电机驱动器:STD120N4F6也常用于电机驱动器中,控制电机的启停和转速。它能够承受较高的电流和电压,适用于各种类型和规模的电机。

    3. 电动汽车:随着电动汽车的普及,STD120N4F6作为电动汽车的功率控制器组件,用于控制电池组与电动机之间的功率传递,实现车辆的动力输出和驱动控制。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能电池板转换太阳能光伏电能为交流电能的过程中,STD120N4F6可以作为逆变器中的开关元件,控制电能的转换和输出。

    5. 电源适配器:STD120N4F6还可以应用于各种电子设备的电源适配器中,帮助实现稳定的输出电压和电流,保障设备的正常运行。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):STD120N4F6具有较低的导通电阻,可以减小功率损耗,提高效率。这对于需要长时间稳定运行的电源系统尤为重要。

    2. 高耐压能力:STD120N4F6能够承受较高的漏电流和击穿电压,保证在复杂的电路环境下稳定运行,提高系统的可靠性和稳定性。

    3. 快速开关速度:STD120N4F6具有较快的开关速度,能够快速响应控制信号,实现精确的功率调节和电流控制,适用于高频率开关电源系统。

    4. 良好的温度特性:STD120N4F6在不同温度下的性能稳定,能够适应各种环境条件下的工作要求,具有较广的工作温度范围。

    5. 封装形式多样:STD120N4F6提供了多种封装形式,如TO-220、TO-247等,适用于不同的电路设计和安装需求,方便工程师在设计中的灵活应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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