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场效应MOS管STD11NM60N参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.45ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD11NM60N是一款N沟道场效应管(MOSFET)器件,具有广泛的应用场景和独特的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源和线性电源的设计中,STD11NM60N常用于开关电源的开关管或线性调节器的电流控制器。其低导通电阻和高电流承受能力确保了电源的效率和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动系统中,STD11NM60N作为电机驱动器件,能够承受较高的电流和电压,同时具备快速开关特性,确保电机运行时的效率和响应速度。

    3. 照明应用:在LED驱动电路中,特别是需要高效能和稳定性的LED照明系统中,STD11NM60N能够提供所需的电流控制和电压调节功能,有效提升照明设备的性能和寿命。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,如汽车电动化部件和电动车充电桩中,STD11NM60N用作功率开关器件,用于电动车辆的功率转换和控制,以及充电桩的高效率电能转换。

    5. 工业自动化:在工业控制系统中,STD11NM60N常用于高功率开关电路和电源模块中,确保工业设备的稳定运行和高效能输出。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:典型的低导通电阻确保在开关状态时减少功率损失,提高设备的效率。

    2. 高电流承受能力:能够承受较高的电流,适用于大功率需求的应用场合。

    3. 快速开关特性:具备快速开关速度,有助于降低开关过程中的能量损耗和热量产生。

    4. 良好的热稳定性:能够有效散热,保持器件在高负载运行时的稳定性和可靠性。

    5. 高耐压能力:具备较高的耐压特性,能够安全可靠地操作在额定电压下。

    综上所述,STD11NM60N作为一款多功能的功率MOSFET器件,不仅在电源管理和电机控制领域表现突出,还广泛应用于照明、汽车电子和工业自动化等多个领域,为现代电子设备和系统的高效能运行提供了关键支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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