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场效应MOS管STD11NM50N参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:8.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.47ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD11NM50N是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换系统。本文将详细介绍STD11NM50N的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD11NM50N常用于开关电源(SMPS)中,作为开关元件。其低导通电阻和快速开关速度使其非常适合高效能量转换,提升整体系统效率。

    2. 电机驱动:在直流电机和步进电机驱动应用中,STD11NM50N表现出色。它能够提供足够的电流驱动能力,同时保持低损耗,确保电机平稳运行。

    3. 太阳能逆变器:STD11NM50N在太阳能发电系统中作为逆变器的开关元件,帮助将直流电转换为交流电。其高效率和耐用性使其在长期运行中表现稳定。

    4. 不间断电源(UPS):STD11NM50N被广泛应用于UPS系统,作为逆变器的主要开关器件。其可靠性和高功率处理能力确保了在电力中断时能够迅速切换,保障设备的正常运行。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,STD11NM50N常用于电池管理系统(BMS)和电机控制模块中。其高耐压和低导通电阻特点满足汽车电气系统的高标准要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD11NM50N具有极低的导通电阻(R_DS(on)),在V_GS为10V时仅为0.28Ω。这意味着在工作过程中产生的功耗低,有助于提高整体系统的能效。

    - 高击穿电压:其漏源极间的最大击穿电压(BVDSS)为500V,适用于高电压应用场景。高击穿电压使STD11NM50N能够在更广泛的电压范围内工作,增强了其适用性。

    - 大电流能力:STD11NM50N的连续漏极电流(I_D)高达11A,在V_GS为10V时,能够处理较大的电流负载。这使其适用于大电流需求的电源和驱动应用。

    - 快速开关速度:STD11NM50N具有极快的开关速度,具体表现为其总栅极电荷(Q_g)仅为32nC。这使得该器件在高频开关电源和高效能量转换应用中表现尤为出色。

    - 高温稳定性:其工作结温范围为-55°C至150°C,确保在严苛的工作环境中依然能够稳定运行。STD11NM50N的高温稳定性使其适用于需要长时间高温工作的工业和汽车电子应用。

    综上所述,STD11NM50N凭借其低导通电阻、高击穿电压、大电流能力、快速开关速度和高温稳定性,在电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、UPS和汽车电子等领域得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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