PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理:STD10P6F6常用于DC-DC转换器、开关电源、逆变器等设备中。它能够高效地转换和管理电能,提高系统的能源利用效率。
2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,STD10P6F6被用作开关元件。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合高频电机控制应用,如无刷直流电机(BLDC)驱动。
3. 通信设备:STD10P6F6常用于通信设备的功率放大器、射频(RF)电路中。其高频性能和低损耗特点有助于提高通信设备的性能和可靠性。
4. 消费电子:在电视、音响设备、电脑和其他家用电器中,STD10P6F6被广泛用于电源和驱动电路中。其高效率和高可靠性使其成为这些设备中的重要元件。
5. 汽车电子:STD10P6F6还用于汽车电子系统中,如汽车照明、电子控制单元(ECU)和电动座椅调节等。其耐高温和高电压能力使其能够在汽车恶劣环境下稳定工作。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):STD10P6F6的导通电阻非常低,典型值在100mΩ左右,这使得其在开关时损耗较低,从而提高了系统的效率。
- 高击穿电压(V(BR)DSS):STD10P6F6的漏源击穿电压为60V,这意味着它可以在高压环境下稳定工作,适用于需要高电压操作的应用场合。
- 高脉冲电流能力(ID):STD10P6F6的连续漏极电流为10A,并且可以承受更高的脉冲电流,这使得它在电流需求较大的应用中表现出色。
- 快速开关速度:STD10P6F6具有较快的开关速度,其开通和关断时间非常短,通常在几十纳秒级别,这对于高频应用非常重要。
- 封装形式:STD10P6F6采用标准的DPAK封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合各种PCB板安装方式。
通过以上详细的描述,可以看出STD10P6F6不仅在多种应用场景中具有广泛的适用性,同时其优异的参数特点也使其成为功率MOSFET中的佼佼者。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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