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场效应MOS管STD10NM65N参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD10NM65N是一种N沟道功率MOSFET,常用于各种电子设备和电源管理系统中。以下将详细介绍STD10NM65N的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD10NM65N广泛应用于电源管理系统中,包括AC-DC和DC-DC转换器。这些转换器在各种电子设备中至关重要,如电脑、电视和家用电器。STD10NM65N凭借其高效能和稳定性,能够有效提高系统的电源效率,减少能量损耗。

    2. 开关电源(SMPS):在开关电源应用中,STD10NM65N用于高频开关操作,其低导通电阻和快速开关特性使其成为这一领域的理想选择。通过减少开关损耗和热耗散,STD10NM65N可以显著提高开关电源的效率和可靠性。

    3. 电机驱动器:STD10NM65N常用于电机控制和驱动电路,尤其是在工业自动化和电动工具中。其高电流处理能力和坚固的设计使其能够在高功率应用中提供可靠的性能,确保电机运行的稳定性和效率。

    4. 逆变器:在光伏和风能系统中,STD10NM65N用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。这种转换器要求高效的功率开关器件,STD10NM65N的高效率和低热阻特性使其在这些应用中表现出色。

    5. 充电器和适配器:对于智能手机、笔记本电脑和其他便携式设备的充电器和适配器,STD10NM65N提供了高效的电源转换解决方案。其快速开关特性和低漏电流有助于减少充电时间并提高能效。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(R_DS(on)):STD10NM65N的导通电阻非常低,仅为0.75Ω,这意味着在电流通过时,电压降和能量损耗都较低。这一特点对于高效电源管理系统尤为重要,能够显著提高系统整体效率。

    - 漏源电压(V_DS):STD10NM65N的最大漏源电压为650V,适用于高压应用场景。这一高电压额定值使其在需要高耐压能力的工业和消费电子中应用广泛,能够确保在高压环境下的安全和可靠运行。

    - 漏极电流(I_D):该器件能够处理高达10A的漏极电流,适用于高功率应用。这一高电流处理能力使STD10NM65N在电机驱动和逆变器等需要大电流传输的场合表现出色。

    - 栅极电荷(Q_g):STD10NM65N的栅极电荷较低,约为30nC,这意味着其开关速度非常快。低栅极电荷有助于减少开关损耗,提高系统的开关频率和效率,特别适用于高频开关电路。

    - 结温(T_j):STD10NM65N的最高结温为150°C,能够在高温环境下稳定工作。这一特性对于需要在恶劣环境中运行的设备非常重要,确保其在高温条件下的可靠性和寿命。

    综上所述,STD10NM65N凭借其出色的电气性能和广泛的应用场景,成为电源管理和高功率电子设备中的关键组件。其高效能、低损耗和高可靠性使其在各类电源转换和控制应用中占据重要地位。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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