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场效应MOS管STD10NM50N参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.63ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD10NM50N是一种高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)中,STD10NM50N因其低导通电阻和高效率的特性,能够有效提高能源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电动工具:电动工具要求高效能和可靠性,STD10NM50N的高开关速度和耐用性使其成为理想选择。它能在高频率下运行,提供稳定的电流输出,确保工具的持久性能。

    3. 汽车电子:现代汽车配备了大量电子设备,如电动助力转向系统、车载充电器和电动窗户控制等。STD10NM50N的高耐压和低损耗特性使其在这些系统中得以广泛应用,确保汽车电子系统的稳定运行。

    4. 照明系统:在LED照明系统中,STD10NM50N的高效能和低热耗特性,使其能够在长时间工作时保持稳定的亮度输出,同时降低系统温度,提高灯具寿命。

    5. 工业控制:在工业自动化设备中,如可编程逻辑控制器(PLC)和变频器中,STD10NM50N的高开关频率和可靠性确保了设备的高效运行和精确控制。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STD10NM50N的典型导通电阻仅为0.37Ω,这意味着在导通状态下,器件的能量损耗较低,提高了系统的整体效率。

    - 高击穿电压(VDS):该器件的最大击穿电压为500V,能够在高压环境下可靠工作,适用于需要高耐压能力的应用场景。

    - 高开关速度:STD10NM50N的开关速度非常快,其典型的开关时间为数十纳秒,使其能够在高频率下高效运行,满足高频开关电源和高速电力电子设备的需求。

    - 大电流能力:STD10NM50N的最大连续漏极电流(ID)为10A,能够处理较大电流负载,适用于高功率应用。

    - 耐高温:该器件能够在高温环境下工作,其最大结温可达到150°C,这使得STD10NM50N适用于需要在严苛环境中运行的应用,如工业控制和汽车电子。

    综上所述,STD10NM50N由于其低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度、大电流能力和耐高温特性,成为电源管理、电动工具、汽车电子、照明系统和工业控制等领域的理想选择。这些特点确保了它在各种应用场景中的高效能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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