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场效应MOS管STD10N60M2参数

PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:7.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD10N60M2是一款来自STMicroelectronics的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力转换设备。本文将详细介绍STD10N60M2的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD10N60M2常用于开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)中。其高电压和高电流处理能力使其能够在这些应用中高效转换电能,确保稳定的电力供应。

    2. 工业控制:在工业自动化系统中,STD10N60M2可用于电机驱动和控制电路中。其快速开关特性和高可靠性使其能够精确控制工业设备的运作,提高生产效率。

    3. 光伏逆变器:在太阳能发电系统中,STD10N60M2被用作逆变器中的核心组件,用于将直流电转换为交流电。这种应用需要高效和低损耗的器件,以最大化能量转换效率。

    4. 家用电器:STD10N60M2还被广泛应用于各种家用电器中,如空调、洗衣机和微波炉等。这些设备中的电源管理和控制电路需要可靠且高效的开关器件,STD10N60M2正是这种应用的理想选择。

    5. 电动汽车:在电动汽车的充电和驱动系统中,STD10N60M2用于控制和管理电能的传输和转换。其高效率和高耐压特性确保了电动汽车系统的可靠性和性能。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:STD10N60M2具有600V的漏源击穿电压(Vds),能够承受较高的电压应用。这使其适用于需要高压处理的场合,如电源管理和工业控制系统。

    - 导通电阻:其最大导通电阻(Rds(on))为1欧姆,在低导通电阻的条件下能够提供高效的电流传导,减少能量损耗,提升系统整体效率。

    - 开关速度:STD10N60M2具有快速开关速度,典型的开关时间为几十纳秒级别。快速开关特性使其适用于高频应用,如开关电源和逆变器。

    - 封装形式:采用TO-252封装形式,具有良好的热性能和机械强度,适合表面贴装技术(SMT),便于大规模生产和集成。

    - 安全工作区(SOA):STD10N60M2具有广泛的安全工作区(SOA),能够在高电压和高电流条件下稳定工作。这一特点使其在高可靠性要求的应用中表现出色。

    综上所述,STD10N60M2以其高耐压、高效率和快速开关等特性,广泛应用于电源管理、工业控制、光伏逆变器、家用电器和电动汽车等领域,是一种性能优越的功率MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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