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场效应MOS管SSW2N60B参数

PD最大耗散功率:54WID最大漏源电流:2V(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSW2N60B是一种N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于各种电子设备的电源管理和开关电路中。它具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,广泛应用于高效电源转换、开关模式电源(SMPS)、照明驱动电路以及其他需要高效、高可靠性开关元件的场合。

    一、应用场景:

    1. 开关模式电源(SMPS):SSW2N60B在开关模式电源中起着重要作用,尤其是在需要高效能量转换的电路中。由于其低导通电阻和快速开关特性,可以有效减少功耗,提高转换效率。它常用于计算机、电视机、工业电源等设备的电源模块。

    2. 照明驱动电路:在LED驱动电路中,SSW2N60B的高耐压能力和低导通电阻使其能够承受高电压输入,提供稳定的电流输出,从而延长LED的使用寿命。它在各种LED照明产品如路灯、家用照明、商业照明等方面都有广泛应用。

    3. 电动工具:SSW2N60B被广泛应用于电动工具的驱动电路中。电动工具需要高效率、高可靠性的电源管理解决方案,而SSW2N60B的快速开关能力和高耐压性能满足了这些需求,从而确保电动工具的高效运行和长寿命。

    4. 工业控制系统:在工业控制系统中,SSW2N60B常用于电机控制、电源转换和保护电路中。其高耐压和快速响应特性能够有效保护设备免受电压波动的影响,提高系统的稳定性和可靠性。

    5. 家电产品:SSW2N60B在各种家电产品中也有广泛应用,如空调、洗衣机、冰箱等。这些设备的控制电路需要高效的开关元件来实现精确的功率控制和节能效果,SSW2N60B正好满足了这一需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):SSW2N60B具有极低的导通电阻,这意味着在导通状态下的功耗非常低,从而提高了电路的整体效率。这一特点在高效能量转换和功率管理中尤为重要。

    - 高耐压能力:SSW2N60B的漏源极间最大耐压高达600V,使其适用于高压应用场合。这一特性使得它在各种需要高耐压、高可靠性开关元件的应用中表现出色。

    - 快速开关速度:SSW2N60B的快速开关速度使其在高频开关电路中能够显著减少开关损耗,提高电路的效率。它在高频电源转换和快速响应电路中表现尤为出色。

    - 低栅极电荷(Qg):SSW2N60B具有较低的栅极电荷,这使得其驱动功率需求较低,能够与低功耗驱动电路兼容,从而进一步减少整体功耗并提高效率。

    - 可靠性高:SSW2N60B采用先进的制造工艺和材料,确保其在各种恶劣工作环境下的高可靠性。它能够长时间稳定工作,减少维护成本,提升设备的整体可靠性。

    综上所述,SSW2N60B凭借其低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度、低栅极电荷和高可靠性等优异特点,在开关模式电源、照明驱动电路、电动工具、工业控制系统以及家电产品等众多应用场合中发挥着重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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