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场效应MOS管SSU2N80A参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:1.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:6ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.85AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSU2N80A是一款高性能的N沟道功率MOSFET,在众多应用场景中表现出色。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:SSU2N80A经常用于开关电源中,特别是在高压转换和高效率要求的场合。其优异的开关特性和低导通电阻使得它在减少功率损耗和提高转换效率方面表现突出。

    2. 逆变器:在逆变器电路中,SSU2N80A能够承受高电压和大电流,适用于各种类型的逆变器,包括光伏逆变器和风能逆变器。它的快速开关速度和低损耗特性有助于提高系统的整体效率。

    3. 电动汽车充电器:随着电动汽车的普及,对高效、可靠的充电器需求也在增加。SSU2N80A在电动汽车充电器中的应用可以确保高效率的能量转换,减少充电时间,并保证充电过程的安全性。

    4. 工业自动化:在工业自动化领域,SSU2N80A用于驱动电机和控制系统。其高耐压和高可靠性使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行,满足自动化设备对高性能和高可靠性的需求。

    5. 照明系统:SSU2N80A还广泛应用于LED照明系统中,尤其是在高效节能照明方案中。它能够提供稳定的电流控制,确保LED灯具的长寿命和高亮度输出。

    二、参数特点:

    - 高耐压:SSU2N80A具有800V的漏源极耐压(Vdss),使其能够在高压应用中稳定运行。这一特点非常适合用于需要高电压处理能力的场合,如开关电源和逆变器。

    - 低导通电阻:该型号的导通电阻(Rds(on))非常低,仅为2.2Ω(最大值)。低导通电阻意味着在开通过程中产生的损耗较低,有助于提高整体系统的效率。

    - 快速开关速度:SSU2N80A具有快速的开关速度,典型的开关时间仅为10ns。这一特性使其在高频应用中表现出色,能够快速响应开关信号,减少开关损耗。

    - 高电流处理能力:该型号的连续漏极电流(Id)为2A,能够处理较大的电流。这使得SSU2N80A在需要高电流驱动的应用中也能表现优异,如电动汽车充电器和工业电机驱动。

    - 耐高温性能:SSU2N80A的工作结温范围宽广,最高可达150℃。这一耐高温性能确保了在高温环境下的稳定工作,适用于各种苛刻的应用场景。

    综上所述,SSU2N80A凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关速度、高电流处理能力和耐高温性能,成为众多高性能应用中的理想选择。在各类电源转换、工业控制和照明系统中,SSU2N80A都展现出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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