PD最大耗散功率:28WID最大漏源电流:0.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:12ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.45AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理系统:SSU1N60B在开关电源和直流-直流转换器中,通常用作开关元件。由于其高耐压特性和低导通电阻,它可以高效地转换电能,提高电源的转换效率。
2. 照明系统:在LED照明驱动电路中,SSU1N60B可以作为电流控制和开关元件,确保稳定的电流供应,从而提高照明设备的性能和寿命。
3. 电动工具:在电动工具的控制电路中,SSU1N60B能够承受高电压和大电流,使得工具运行更加稳定可靠,同时有效地减少功率损耗。
4. 家用电器:如空调、冰箱等大功率家电中,SSU1N60B作为控制和保护元件,可以提高设备的安全性和稳定性。
5. 工业控制系统:在自动化控制设备中,SSU1N60B常用于电机驱动和控制电路,提供高效的电力控制和稳定的性能表现。
二、参数特点:
- 高耐压:SSU1N60B的漏源击穿电压(BVDSS)高达600V,适用于高压应用场景,确保设备在高电压条件下安全运行。
- 低导通电阻:在典型的条件下,SSU1N60B的导通电阻(RDS(on))较低,约为4Ω,这显著降低了开关损耗,提高了整体电路效率。
- 高脉冲电流承受能力:SSU1N60B可以承受高达40A的脉冲电流,适应高负载瞬态条件,确保设备在高峰值电流情况下仍能稳定工作。
- 快速开关速度:SSU1N60B具备快速的开关速度,减小了开关时间和开关损耗,使其在高频应用中表现尤为出色。
- 热稳定性:SSU1N60B具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持优异的性能,确保长时间运行的可靠性。
综上所述,SSU1N60B是一款性能优异的高压N沟道MOSFET,适用于多种高要求的电子和电力应用。通过以上对SSU1N60B应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出SSU1N60B是一款性能优异的高压N沟道MOSFET,适用于多种高要求的电子和电力应用。
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