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场效应MOS管SSU1N50B参数

PD最大耗散功率:26WID最大漏源电流:1.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:520VRDS(ON)Ω内阻:5.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.65AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSU1N50B是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:SSU1N50B常用于开关电源中,特别是高效率、高频率的DC-DC转换器和AC-DC适配器。这种应用场景需要MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度,以提高能量转换效率并减少功率损耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,SSU1N50B被用于控制电机的启停和速度调节。其高耐压和大电流处理能力使其能够在高功率电机驱动系统中稳定工作。

    3. 不间断电源(UPS):SSU1N50B在UPS系统中扮演关键角色,帮助实现高效的电力转换和稳压功能。其高可靠性和高效能使其成为UPS系统中的理想选择。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,SSU1N50B被用于太阳能逆变器中,用以将直流电转换为交流电。其高效率和高耐压特性能够满足太阳能系统对功率器件的严苛要求。

    5. 电动汽车:SSU1N50B在电动汽车中的电池管理系统(BMS)中应用广泛,用于电池的充放电控制以及电池保护,确保电动汽车的安全性和可靠性。

    二、参数特点:

    1. 高耐压:SSU1N50B的最大漏源电压(V_DS)可达500V,适合应用于高压环境中,确保器件在高压下的稳定性和可靠性。

    2. 低导通电阻:SSU1N50B的导通电阻(R_DS(on))非常低,在10A电流下仅为0.75Ω,有助于降低功耗,提高系统效率。这一特点在高频开关应用中尤为重要。

    3. 高电流处理能力:SSU1N50B能够处理高达10A的连续漏极电流(I_D),适用于高功率应用,提供强劲的电流驱动能力。

    4. 快速开关速度:SSU1N50B具有快速的开关速度,其开关时间(t_on 和 t_off)分别为50ns和100ns,使其在高频应用中能够高效工作,减少开关损耗。

    5. 高可靠性:SSU1N50B经过严格的可靠性测试,能够在各种苛刻的工作环境中保持稳定运行,适用于工业和汽车等对可靠性要求高的领域。

    综上所述,SSU1N50B凭借其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和高可靠性,成为多种应用场景中的理想选择。无论是在开关电源、电机驱动、UPS、太阳能逆变器还是电动汽车中,SSU1N50B都能提供卓越的性能和可靠的保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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