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场效应MOS管SSU1N50A参数

PD最大耗散功率:26WID最大漏源电流:1.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:12ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.45AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSU1N50A是一种常用于各种电力电子设备中的场效应晶体管(MOSFET)。它的高压特性和高开关速度使其在许多应用场景中表现出色。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:SSU1N50A常被应用于AC-DC和DC-DC转换器中。其高耐压和低导通电阻使其在这些转换器中能有效减少能量损耗,提高转换效率。

    2. 开关电源(SMPS):在开关电源中,SSU1N50A通过其快速开关能力和高效率特点,帮助实现高频率操作,从而减小变压器和滤波器的尺寸,提高整体效率和功率密度。

    3. 照明设备:LED驱动电路和荧光灯电子镇流器中,SSU1N50A的高效率开关特性可确保稳定的电流输出,提升照明设备的寿命和性能。

    4. 电机驱动:在电机驱动应用中,SSU1N50A能够提供高效的电能转换和稳定的电流控制,从而确保电机的平稳运行和高性能表现。

    5. 逆变器:在逆变器中,SSU1N50A的高耐压特性使其能够承受高电压输入,适用于太阳能发电和UPS系统,提升系统的可靠性和稳定性。

    二、参数特点:

    - 高耐压:SSU1N50A的漏源电压(Vds)为500V,适合在高压环境下使用,确保设备的安全和稳定运行。

    - 低导通电阻:SSU1N50A的导通电阻(Rds(on))低至1Ω以下,这意味着在导通状态下其能量损耗非常小,能有效提高电路效率。

    - 快速开关速度:SSU1N50A具有极快的开关速度,能够在高频率的操作条件下稳定工作,减少开关损耗,提高转换效率。

    - 高电流处理能力:SSU1N50A的最大漏极电流(Id)可达1A,能够处理较高的电流,适用于高功率应用。

    - 热性能优越:SSU1N50A具备良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行,其结温最高可达150摄氏度,适应严苛的工作条件。

    通过以上对SSU1N50A应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出其在电力电子设备中的重要性和广泛应用。无论是电源转换器、开关电源、照明设备、电机驱动还是逆变器,SSU1N50A都能以其卓越的性能和可靠性,为系统提供优异的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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