PD最大耗散功率:48WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理系统:在开关电源、适配器和不间断电源(UPS)中,SSS7N60B凭借其低导通电阻和高开关速度,能够有效提高系统效率,减少能量损耗。
2. 工业自动化设备:在变频器、电机驱动器等工业设备中,SSS7N60B可以提供稳定可靠的高压控制和功率转换,保障设备的高效运行。
3. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,SSS7N60B用于直流到交流的逆变过程,确保能源转换的高效性和稳定性。
4. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和驱动系统中,SSS7N60B发挥重要作用,提供可靠的高压开关能力,提升车辆的整体性能。
5. 消费电子产品:如电视、电冰箱和空调等家电设备中,SSS7N60B能够优化能量使用,延长产品寿命,提高用户体验。
二、参数特点:
- 高耐压:SSS7N60B的漏源极耐压(Vds)高达600V,能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高压控制的场合。
- 低导通电阻:导通电阻(Rds(on))仅为0.9Ω,这意味着SSS7N60B在导通状态下具有较低的功率损耗,提高了整体系统的效率。
- 高开关速度:SSS7N60B具备快速的开关速度,开关时间(tr+tf)通常在几十纳秒级别,适用于高频率开关应用。
- 低栅极电荷:栅极电荷(Qg)较低,通常在20nC以下,这使得SSS7N60B在驱动时所需的能量较少,降低了驱动电路的复杂性和成本。
- 强耐热性:SSS7N60B具有良好的热稳定性,最大结温(Tj)可达到150°C,能够在高温环境中长时间工作,确保系统的可靠性。
综上所述,SSS7N60B是一款集高耐压、低导通电阻、高开关速度和强耐热性于一身的优质MOSFET器件,在电源管理、工业自动化、光伏逆变、电动汽车和消费电子等领域具有广泛的应用前景。其卓越的参数特点确保了系统的高效性和稳定性,是现代电子设备不可或缺的核心元件之一。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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