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场效应MOS管SSS4N80参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:700VRDS(ON)Ω内阻:1.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSS4N80是一款高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):SSS4N80常用于开关电源的高频变换部分,由于其低导通电阻和高击穿电压,可以有效提高转换效率并减少功率损耗。

    2. LED驱动电路:在LED照明领域,SSS4N80被用作恒流源的开关器件,其稳定的性能和高耐压特性确保了LED灯具的长时间稳定工作。

    3. 电动汽车充电器:SSS4N80适用于电动汽车充电器中的高压转换电路,其高击穿电压和低导通损耗特性,能够在高压大电流环境下提供高效可靠的性能。

    4. 太阳能逆变器:太阳能逆变器中需要高效的电能转换,SSS4N80的高效率和耐高压特性使其成为逆变器电路中的理想选择。

    5. 工业控制系统:SSS4N80被广泛应用于工业自动化和控制系统中,作为功率驱动器件,可以稳定地驱动各类高压设备,提高系统的可靠性和寿命。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:SSS4N80具有800V的高击穿电压,这使得它能够在高压环境中稳定工作,适用于各种需要高耐压的应用场合。

    - 低导通电阻:SSS4N80的导通电阻非常低,这意味着在工作过程中损耗小,效率高,有助于减少热量产生,提高整体系统的能效。

    - 高脉冲电流能力:SSS4N80拥有良好的脉冲电流处理能力,在高频切换和大电流冲击条件下能够保持稳定的性能。

    - 快速开关速度:SSS4N80具有快速的开关速度,能够满足高频电路的需求,有效提高电路的响应速度和性能。

    - 良好的热稳定性:SSS4N80具有优异的热稳定性和散热性能,在高温环境下依然能保持良好的工作状态,延长器件寿命。

    通过这些详细的应用场景和参数特点,可以看出SSS4N80在高效能、高可靠性和广泛适用性方面的显著优势,使其成为电力电子领域中不可或缺的重要器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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