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场效应MOS管SSS1N50B参数

PD最大耗散功率:36WID最大漏源电流:1.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:520VRDS(ON)Ω内阻:5.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSS1N50B是一种高性能的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:SSS1N50B常用于开关电源和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,因其具备高效率和低损耗的特点,可以有效提高电源系统的效率,减少热量生成,延长设备寿命。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制领域,SSS1N50B凭借其快速开关特性和高可靠性,能够实现精确的电机速度和位置控制,广泛应用于工业自动化设备、机器人和电动工具中。

    3. 消费电子产品:SSS1N50B被大量用于家用电器、计算机和便携式设备的电源电路中,能够提供稳定可靠的电源管理,确保设备的稳定运行,提升用户体验。

    4. 汽车电子:随着汽车电子化程度的提高,SSS1N50B在汽车电子控制单元(ECU)、电动汽车电源管理系统和充电桩中得到了广泛应用,具有耐高温、高可靠性的特点,满足汽车应用的苛刻要求。

    5. 可再生能源系统:在太阳能和风能等可再生能源系统中,SSS1N50B作为逆变器和功率优化器中的关键元件,能够高效地转换和管理能量,提升整体系统的效率和稳定性。

    二、参数特点:

    - 高耐压:SSS1N50B的漏源极耐压(Vds)高达500V,这使其在高电压应用场景中具有显著优势,能够处理较高的工作电压而不易发生击穿。

    - 低导通电阻:SSS1N50B的导通电阻(Rds(on))非常低,仅为1欧姆左右,这显著降低了在开关过程中产生的功率损耗,提升了整体系统的效率,适用于高效能的电源管理和转换应用。

    - 快速开关速度:SSS1N50B具有极快的开关速度,其开关时间(Switching Time)通常在纳秒级,这使其在高频应用中表现出色,能够迅速响应控制信号,实现高精度的功率调节和控制。

    - 高脉冲电流处理能力:SSS1N50B能够处理较高的脉冲电流,峰值电流可达几十安培,这使其在需要高瞬时电流的应用场景中(如电机启动和高脉冲功率设备)表现优异。

    - 优异的热性能:SSS1N50B具有优异的热管理性能,热阻(Thermal Resistance)较低,能够在高功率工作环境中有效散热,确保器件的稳定性和寿命。

    综上所述,可以看出SSS1N50B是一款性能优异、应用广泛的功率MOSFET,能够在多个领域中提供可靠的电源管理和控制解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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