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场效应MOS管SSS10N60B参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSS10N60B是一款高效能的N沟道功率MOSFET,被广泛应用于各种电子和电气设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):SSS10N60B在开关电源中充当主要的开关元件,负责高频率的电流转换。由于其高击穿电压和低导通电阻,能够有效提升电源的转换效率,减少能量损耗。

    2. 电动汽车充电器:在电动汽车充电器中,SSS10N60B用于控制电流的输入输出,以确保稳定的充电过程。其高电流承载能力和出色的热性能,使其能够在高功率的充电器中稳定工作。

    3. 工业控制系统:SSS10N60B在工业控制系统中,作为功率控制元件,用于调节和控制各种电机和机械设备的运行。其高可靠性和长寿命,保证了工业设备的稳定运行。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,SSS10N60B用于将直流电转换为交流电,以便输送到电网或直接供给家庭使用。其高效率和稳定性,提升了太阳能系统的整体性能。

    5. 家用电器:SSS10N60B在家用电器如空调、洗衣机和微波炉中,起到电源管理和功率控制的作用,确保电器的高效和稳定运行。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:SSS10N60B的击穿电压高达600V,适用于高电压应用场景,如电源转换器和逆变器。

    - 低导通电阻:其导通电阻非常低,仅为0.48Ω,这意味着在导通状态下的能量损耗很小,有助于提高整体系统的效率。

    - 高脉冲电流承载能力:SSS10N60B能够承受高达40A的脉冲电流,使其在需要处理大电流的应用中表现出色,如电动汽车充电器和工业控制设备。

    - 快速开关速度:由于其具有快速的开关速度,SSS10N60B能够在高频应用中实现快速响应和高效转换,减少开关损耗。

    - 优良的热性能:SSS10N60B具备优异的热性能,其最大结温可达150°C,并且具有较低的热阻,确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。

    综上所述,可以看出SSS10N60B在各类高性能、高可靠性电子设备中具有广泛的应用前景,并能有效提升系统的整体性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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