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场效应MOS管SSR2N60ATM参数

PD最大耗散功率:44WID最大漏源电流:1.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:5ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSR2N60ATM是一种高效能的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),在各种电子和电力应用中具有广泛的应用场景。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,SSR2N60ATM用于高效能的电能转换和传输,能够承受高电压并提供快速的开关速度。这使得电源设备能够在高效率和低功耗的条件下运行。

    2. 电动机控制:在电动机控制系统中,SSR2N60ATM用于驱动电动机并控制其运转速度和方向。其高耐压和低导通电阻特性确保了电动机的稳定运行和高效能。

    3. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,SSR2N60ATM用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。其高效率和高可靠性确保了光伏系统的高效能输出和长寿命运行。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,SSR2N60ATM用于电池的充电和放电控制。其优越的开关特性和低漏电流特性,能够确保电池系统的安全和高效运行。

    5. 消费电子产品:在各种消费电子产品中,SSR2N60ATM用于电源管理和电路保护,确保电子设备的稳定和安全运行。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:SSR2N60ATM的漏源击穿电压(Drain-Source Breakdown Voltage)为600V,能够承受高电压的工作环境,适用于需要高耐压的应用场合。

    - 导通电阻(RDS(on)):SSR2N60ATM的导通电阻非常低,仅为2Ω,这意味着在导通状态下能够有效地减少能量损耗,提高电路的效率。

    - 开关速度:SSR2N60ATM具有快速的开关速度,具体表现为其栅极电荷(Gate Charge)低至10nC。这使其在高频开关应用中表现优异,能够实现快速的电能转换。

    - 漏电流:SSR2N60ATM的漏电流(Drain Leakage Current)极低,在VDS为600V时仅为10μA。这保证了在关断状态下的能量损耗极低,提高了整体系统的效率。

    - 热性能:SSR2N60ATM具有良好的热性能,其结温(Junction Temperature)范围为-55°C至150°C,能够在较宽的温度范围内稳定工作。这使其在高温环境中仍能保持高效能和可靠性。

    综上所述,SSR2N60ATM以其卓越的电气特性和多样的应用场景,成为高效能电力电子系统中的关键元件。其高耐压、低导通电阻、快速开关速度、低漏电流和优异的热性能,使其在开关电源、电动机控制、光伏逆变器、电池管理系统和消费电子产品中得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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