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场效应MOS管SSR1N60BTM参数

PD最大耗散功率:28WID最大漏源电流:0.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:12ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.45AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSR1N60BTM是一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其主要应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:SSR1N60BTM常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。由于其高效的开关特性,可以在电源转换过程中减少能量损失,提高系统的整体效率。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,SSR1N60BTM可以用于控制电机的启动和停止。其低导通电阻和快速开关能力能够确保电机运行的稳定性和可靠性。

    3. 照明系统:尤其是在LED照明领域,SSR1N60BTM可以作为驱动器的一部分。其高压特性使其能够在各种照明系统中安全运行,提供稳定的电流输出。

    4. 消费电子产品:如电视、音响系统等,这些设备中通常需要一个高效、稳定的电源管理系统。SSR1N60BTM能够满足这些要求,确保设备正常工作。

    5. 工业控制系统:在PLC(可编程逻辑控制器)和其他工业自动化设备中,SSR1N60BTM的高耐压和高效率特性,使其在恶劣环境下依然能够稳定工作。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:SSR1N60BTM具有600V的耐压能力,使其能够在高压环境下安全工作,不容易出现击穿现象。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻为1Ω,这意味着在工作状态下,SSR1N60BTM能够提供较低的损耗,提高整体效率。

    - 高开关速度:SSR1N60BTM的开关速度非常快,能够迅速响应控制信号。这对于要求快速反应的应用场景如电源管理和电机控制非常重要。

    - 漏电流低:在关断状态下,SSR1N60BTM的漏电流极低,可以减少不必要的功耗,延长电池寿命,尤其适合便携式设备。

    - 热性能优越:SSR1N60BTM具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,其散热效率高,有助于提高系统的可靠性。

    总的来说,SSR1N60BTM凭借其优异的性能和广泛的应用场景,是各类电子设备和系统中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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